发明名称 用于非挥发性记忆体储存元件之混合式程式化方法及系统
摘要 本发明描述一种将一非挥发性记忆体单元程式化至一最终程式化状态之混合式方法。所描述之方法为一适于可靠地程式化所选记忆体单元同时消除程式化干扰之更稳固协定。该混合式方法包含:根据一第一粗略程式化机制来将该非挥发性记忆体单元程式化至一第一状态,且根据一第二不同之更精确程式化机制来程式化该非挥发性记忆体单元,藉此完成该非挥发性记忆体单元至该最终程式化状态之该程式化。另外,所描述之方法尤其有利于程式化多级晶片。
申请公布号 TW200822120 申请公布日期 2008.05.16
申请号 TW096135598 申请日期 2007.09.21
申请人 桑迪士克股份有限公司 发明人 丹娜 李;东英达;陈章元;杰佛瑞 路兹
分类号 G11C16/02(2006.01) 主分类号 G11C16/02(2006.01)
代理机构 代理人 黄章典;楼颖智
主权项
地址 美国