发明名称 用于除去后蚀刻光阻剂、蚀刻聚合物及残留物的含有缩醛或缩酮的剥除剂
摘要 本发明说明一种包含充当溶剂的缩醛或缩酮、多羟醇、水及pH调节剂的配方。这些配方应该具有至少7或更高的pH。本发明中的配方可视需要地含有共溶剂形式的水溶性有机溶剂、腐蚀抑制剂及氟化物。本发明中的配方可用于从半导体基材除去后蚀刻有机及无机残留物及聚合性残留物。
申请公布号 TW200819927 申请公布日期 2008.05.01
申请号 TW096139077 申请日期 2007.10.18
申请人 气体产品及化学品股份公司 发明人 马修 I 爱格比;麦克 瓦特 雷詹札
分类号 G03F7/42(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/304(2006.01) 主分类号 G03F7/42(2006.01)
代理机构 代理人 陈展俊;林圣富
主权项
地址 美国