| 发明名称 | 电容结构 | ||
| 摘要 | 一种电容结构包含有:一第一导电岛柱;一第一介电层,环绕该第一导电岛柱;以及一第一导电侧壁,环绕该第一介电层;其中该第一导电侧壁与该第一导电岛柱之间系具有一电位差。 | ||
| 申请公布号 | TW200820281 | 申请公布日期 | 2008.05.01 |
| 申请号 | TW095138154 | 申请日期 | 2006.10.17 |
| 申请人 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 发明人 | 吴龢峻 |
| 分类号 | H01G4/28(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01G4/30(2006.01) | 主分类号 | H01G4/28(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 叶信金 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学园区创新二路2号 | ||