发明名称 |
具有向周围延伸的存储元件的存储单元器件 |
摘要 |
本发明涉及一种具有可通过施加能量而在电性状态之间切换的存储材料的存储单元器件,其具有底电极构件、顶电极构件以及位于顶电极构件与底电极构件之间的电介质材料。此顶电极以及底电极构件具有彼此大致对准的环绕向外延伸的外表面。存储元件包含存储材料,至少部分环绕且与该底电极构件和该顶电极构件的该外表面电接触,以在该电介质材料中产生存储元件转换区域。在某些实施例中,底电极构件、该顶电极构件以及该电介质材料定义材料堆叠,该材料堆叠具有延伸于该底电极构件和该顶电极构件之间且通过该电介质材料的方向的长度,以及延伸垂直于该长度且具有亚光刻尺寸的宽度。 |
申请公布号 |
CN101159312A |
申请公布日期 |
2008.04.09 |
申请号 |
CN200710161895.7 |
申请日期 |
2007.09.27 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
龙翔澜 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王英 |
主权项 |
1.一种具有可通过施加能量而在电性状态之间切换的存储材料的存储单元器件,所述存储单元器件包括:底电极构件,其具有环绕向外延伸的外表面;在所述底电极构件之上的顶电极构件,所述顶电极构件具有与所述底电极构件的所述外表面大致对准的环绕向外延伸的外表面;电介质材料,其位于所述顶电极构件与所述底电极构件之间;以及存储元件包含存储材料,所述存储元件至少部分环绕且与所述底电极构件和所述顶电极构件的所述外表面电接触,以在所述电介质材料中产生存储元件转换区域;其中能量通过所述底电极构件和所述顶电极构件时,会被集中在所述存储元件的所述转换区域中,以导致改变所述存储材料的电性状态。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |