发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明于具有微电脑晶片与复数个高速记忆体晶片之半导体装置中,谋求复数个记忆体晶片之布线等长化。本发明之半导体装置包括:第1布线基板4;安装于第1布线基板4上之微电脑晶片3;配置于微电脑晶片3上之第2布线基板5;连接第1布线基板4与第2布线基板5之复数个第1焊接凸块34;及设置于第1布线基板4之背面4b之外部端子,即复数个第2焊接凸块35;于第2布线基板5中,层积而内建有高速之第1记忆体晶片2与第2记忆体晶片6,于第2布线基板5内使第1记忆体晶片2之布线与第2记忆体晶片6之布线等长化,并且于具有第1布线基板4之封装完成构造上,安装有具有第2布线基板5之封装完成构造。
申请公布号 TW200816435 申请公布日期 2008.04.01
申请号 TW096118100 申请日期 2007.05.22
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 秋叶俊彦;内藤孝洋
分类号 H01L23/492(2006.01);H01L23/528(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/492(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本