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发明名称
电应力保护装置及其制造方法
摘要
在各项具体实施例中,揭示电路及半导体器件与结构以及制造此等结构与器件之方法。在一项具体实施例中,揭示一种双向极性电压瞬变保护器件。该电压瞬变保护器件可包含具有一开启电压VBE1之一双极PNP电晶体,具有一开启电压VBE2之一双极NPN电晶体以及具有一临限电压VTH之一场效电晶体(FET),其中该电压瞬变保护器件之一开启电压VTO系接近等于VBE1、VBE2及VTH之总和,即,VTO VBE1+VBE2+VTH。说明并主张其他具体实施例。
申请公布号
TW200816451
申请公布日期
2008.04.01
申请号
TW096130560
申请日期
2007.08.17
申请人
HVVi半导体公司
发明人
罗伯特 布鲁斯 达维思
分类号
H01L27/04(2006.01);H05F3/02(2006.01)
主分类号
H01L27/04(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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