| 发明名称 | 电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种电容器的制造方法，首先在一基底上形成一介电层。接着在介电层上形成一上电极，其中形成有多个开口。之后经由上电极中的开口对基底进行一掺杂步骤，以形成位于上电极下方基底中的单一掺杂区，其做为一下电极。 | ||
| 申请公布号 | CN100372057C | 申请公布日期 | 2008.02.27 |
| 申请号 | CN200410085083.5 | 申请日期 | 2004.10.12 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 高境鸿 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种电容器的制造方法，包括：在一基底上形成一介电层；在该介电层上形成掺杂多晶硅材料的一上电极，该上电极中形成有多个开口；经由该上电极中的该些开口对该基底进行一掺杂步骤，以形成位于该上电极下方的该基底中的单一掺杂区，该单一掺杂区作为一下电极；在每一该些开口的侧壁形成一间隙壁；以及进行一自行对准金属硅化工艺，以在该上电极的表面上以及该下电极暴露出的表面上形成一金属硅化物。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||