| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成器件隔离层；在该半导体衬底上形成栅极绝缘层和栅极；在由上述两个步骤形成的结构上沉积一种三层结构，该三层结构包括下氧化层、氮化层和上氧化层；和蚀刻所述三层结构，以形成多个间隔件。 | ||
| 申请公布号 | CN101127326A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200710136893.2 | 申请日期 | 2007.07.23 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 张贞烈 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成器件隔离层；在该半导体衬底上形成栅极绝缘层和栅极；在由上述两个步骤形成的结构上沉积一种三层结构，该三层结构包括下氧化层、氮化层和上氧化层；和蚀刻所述三层结构，以形成多个间隔件。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||