发明名称 Verfahren zum Korrigieren einer kritischen Abmessung in einem Srukturelement mit hohem Seitenverhältnis
摘要 Verfahren zum Korrigieren oder Einstellen der lateralen kritischen Abmessung (d. h. Länge und Breite) eines Elementes, das in einer Schicht auf einem Substrat ausgebildet wird, unter Verwendung eines Trockenätzprozesses. Eine oder mehrere dünne Zwischenschichten werden in die Schicht eingefügt, in der das Strukturelement erzeugt werden soll. Sobald eine Zwischenschicht während des Ätzprozesses erreicht wird, wird ein Ätzprozess zum Korrigieren und/oder Einstellen der lateralen kritischen Abmessungen vor dem Ätzen durch die Zwischenschicht und dem Fortsetzen der Schichtätzung ausgeführt.
申请公布号 DE102007036348(A1) 申请公布日期 2008.02.14
申请号 DE200710036348 申请日期 2007.08.02
申请人 TOKYO ELECTRON LTD. 发明人 NOZAWA, TOSHIHISA;SASAKI, JUNICHI;SAWUSCH, STEFAN
分类号 H01L21/311 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人
主权项
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