与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺

摘要

本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置DBR布拉格全反射器和DBR半反射器，构成谐振腔。

主权项

1.一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器，其特征是，采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两端的无源区内分别制作分布布拉格全反射器和分布布拉格半反射器，构成谐振腔，包括：一SOI衬底；一PN结发光二极管，在SOI衬底的顶层P型外延层上制作N+区和P+ 区，N+区做成折线结构，P+区为条形结构，N+区与SOI衬底的顶层P型外延层形成N+P结，N+区、P+区分别引出金属电极；一DBR全反射器，利用光刻工艺在SOI衬底的顶层P型外延层上制作布拉格光栅全反射器，在光栅内部引入λ/4相移区；一DBR半反射器，利用光刻工艺在SOI衬底的顶层P型外延层上制作布拉格光栅半反射器，用于与DBR全反射器形成谐振腔，输出激光；硅基DBR激光器两侧分别制作隔离槽，该隔离槽在DBR激光器谐振腔两侧方向上进行光学限制，防止光信号泄露；外层SiO2层和SOI衬底的埋层SiO2层在与SOI衬底的埋层SiO2层表面所在的平面垂直的方向上进行光学限制，防止光信号泄露。