| 发明名称 | 利用磁畴壁移动的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁。该半导体器件的磁线不需要额外的切口，因为该磁线包括磁畴壁，其移动距离通过脉冲场或脉冲电流来控制。 | ||
| 申请公布号 | CN101114693A | 申请公布日期 | 2008.01.30 |
| 申请号 | CN200610168680.3 | 申请日期 | 2006.12.22 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林志庆;金庸洙 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L27/22(2006.01);G11C11/14(2006.01);G11C19/02(2006.01);H01F10/12(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括具有多个磁畴的磁线，其中该磁线包括通过脉冲场和脉冲电流之一被移动的磁畴壁且是无切口磁线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||