发明名称 |
自旋开关和使用该自旋开关的磁存储元件 |
摘要 |
本发明提供由电压驱动的自旋开关,该自旋开关包含:强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极,通过电极电压的变化,磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化,在使磁性半导体向强磁性变化时,强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。 |
申请公布号 |
CN100365843C |
申请公布日期 |
2008.01.30 |
申请号 |
CN02803898.3 |
申请日期 |
2002.01.18 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
松川望;平本雅祥;小田川明弘;里见三男;杉田康成 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01);H01L27/105(2006.01);G01R33/09(2006.01);G11B5/39(2006.01);H01F10/193(2006.01) |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
1.一种自旋开关,包括:磁性半导体,和经绝缘体与所述磁性半导体连接、并覆盖所述磁性半导体的至少一部分的至少1个电极,其特征在于:所述磁性半导体包括作为以第一方向为纵向的磁化变化区域的第二区域和由与所述磁化变化区域的左右邻接的第一区域和第三区域构成的周边区域,将所述磁化变化区域和所述周边区域合并后的合计区域以与第一方向不同的第二方向为该合计区域的纵向,通过所述至少1个电极的电压变化,所述磁性半导体上,在所述至少1个电极覆盖的部分中,产生强磁性和顺磁性之间的可逆变化,通过所述变化可以实现所述磁化变化区域以及所述周边区域为强磁性的第一状态和所述磁化变化区域为强磁性、而所述周边区域为顺磁性的第二状态。 |
地址 |
日本大阪府 |