| 摘要 |
本发明包含一种具有一缩减之大小、一高崩溃电压及一低导通状态电阻的横向双扩散金氧半导体（LDMOS）。此系藉由在该装置之汲极侧提供一厚闸极氧化物而达成，该厚闸极氧化物在关闭状态中缩减电场拥挤，以缩减崩溃电压，且其在该漂移区中形成一累积层，以便在导通状态中缩减装置电阻。一装置型式包含在该装置之源极侧具有一薄闸极氧化物的一低临限电压型式，而且该装置的一高临限电压型式包含在该源极侧的一厚闸极氧化物。可将该LDMOS配置于具有一N型源极的一LNDMOS或具有一P型源极的一LPDMOS中。该装置之源极完全对准于该闸极之相邻氧化物间隔物之下，以提供一大SOA、以缩减装置大小及缩减装置泄漏。 |
