| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中当通过化学镀方法在由铝－硅(Al－Si)制成的电极焊盘上形成镍(Ni)层时，在沉淀作为催化剂的锌(Zn)之前，以不连续点或岛的形式在电极焊盘的表面上形成铜(Cu)，从而设置薄铜(Cu)层。 | ||
| 申请公布号 | CN101106115A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200710084483.8 | 申请日期 | 2007.03.02 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 牧野豊;冈本九弘;栗田行树 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；电极焊盘，设置在所述半导体衬底的一个主表面上方，利用铝作为其主要材料，且在其表面层部分上具有铜层；凸点基层，设置在所述电极焊盘上；以及凸点，设置在所述电极焊盘上方，并且所述凸点基层位于所述凸点与所述电极焊盘之间。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||