| 发明名称 | 用于除去薄膜层的预蚀刻注入损伤 | ||
| 摘要 | 公开了一种从衬底层(100)上各向异性且有选择地除去介电薄膜层(102，103)方法，其中介电层在湿蚀刻之前受到离子注入(122)。可以在结构如微电子结构之内的栅电极附近应用此方法，从而防止如用更各向同性的蚀刻技术可以碰到的要保持在栅电极与衬底层之间的介电材料的钻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN101107696A | 申请公布日期 | 2008.01.16 |
| 申请号 | CN200380106489.0 | 申请日期 | 2003.11.12 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S·哈雷兰德;N·林德尔特;R·阿哈瓦尼;R·仇 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 范赤;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.一种制造微电子结构的方法，包括：在衬底层附近形成薄膜；在该薄膜附近形成掩模结构，使该薄膜的掩蔽部分位于掩模结构与衬底层之间，该薄膜的暴露部分保持暴露；将离子注入到暴露部分中，从而在结构上改变该暴露部分，掩模结构保护掩蔽部分免受注入；湿蚀刻暴露的部分；基本上除去所有的暴露部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||