发明名称 热控制方法、磁场发生器和MRI装置
摘要 本发明着眼于实现用于让使用Hcj相对小的永磁体的磁场发生器的温度特性是可逆的温度控制方法、使用Hcj相对小的永磁体而温度特性是可逆的磁场发生器以及装备有这种磁场发生器的MRI装置,提供一种用于控制磁场发生器温度的方法,该磁场发生器具有一对盘形永磁体和磁轭,所述盘形永磁体极性彼此相反的磁极彼此相对且具有在其之间限定的间隔,所述磁轭为永磁体磁通量形成返回通道,包括这些步骤:温度从室温升高到高于室温的温度,保持该高于室温的温度,温度从高于室温的温度降到室温,因此使永磁体的温度特性是可逆的。
申请公布号 CN101103915A 申请公布日期 2008.01.16
申请号 CN200610121228.1 申请日期 2006.07.14
申请人 GE医疗系统环球技术有限公司 发明人 谭凤顺;沈伟俊;华夷和;刘亮
分类号 A61B5/055(2006.01);G05D23/26(2006.01);G01R33/383(2006.01);G01R33/389(2006.01) 主分类号 A61B5/055(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 顾珊;张志醒
主权项 1.一种用于控制磁场发生器的温度的方法,该磁场发生器具有一对盘形永磁体,其极性彼此相反的磁极彼此相对且其间具有限定的间隔,以及为永磁体的磁通量形成返回通道的磁轭,包括这些步骤:将温度从室温升高到高于室温的温度;保持该高于室温的温度;将温度从高于室温的温度降到室温;以及使永磁体的温度特性是可逆的。
地址 美国威斯康星州