半导体装置及其制造方法

摘要

知之半导体装置会有在电极焊垫施加过电压时，晶片内之电路元件遭受破坏的问题。本发明之半导体装置中，N型磊晶层3系由隔离区域4、5而区划成复数个元件形成区域。在元件形成区域之一个形成有MOS电晶体1。在MOS电晶体1之周围形成具有PN接合区域34、35之保护元件。PN接合区域34、35之接合耐压系比MOS电晶体1之PN接合区域32、33之接合耐压低。藉由该构造，在源极电极用之焊垫施加负的ESD突波时，PN接合区域34、35会崩溃，而可保护MOS电晶体1。