| 发明名称 | 改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的原理，在离子注入后引入二氧化硅层缓解高温退火下锗的外扩散和晶格质量恶化，得到锗含量高的绝缘体上的硅锗材料。离子注入的能量是15～80keV，注入后，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；在1200～1375℃范围内退火，退火气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，最后去除二氧化硅保护层。制备的绝缘体上的硅锗材料埋氧层连续，锗含量高，全释放。 | ||
| 申请公布号 | CN100336172C | 申请公布日期 | 2007.09.05 |
| 申请号 | CN200410093367.9 | 申请日期 | 2004.12.22 |
| 申请人 | 上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 陈志君;张峰;张正选 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1.一种改进注氧隔离技术制备绝缘体上的硅锗材料的方法，其特征在于a)离子注入的能量范围是15～80keV，相应的剂量范围是1.0×1017～6.0×1017cm-2；衬底温度为400～700℃；b)离子注入后，在硅锗上生长二氧化硅层，二氧化硅层厚度为20～120nm；c)高温退火温度范围为1200～1375℃，退火的时间为1～24个小时，退火的气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0％～20％；d)高温退火后，去除表层二氧化硅保护层。 | ||
| 地址 | 201821上海市嘉定区普惠路200号 | ||