| 主权项 |
1.一种研磨体,系用于研磨装置,该研磨装置系在研 磨体与被研磨物之间介入研磨剂之状态下,藉由对 该研磨体与该被研磨物之间施加荷重,且使该研磨 体与该被研磨物进行相对移动,来研磨该被研磨物 ,其特征在于: 具有依序积层:在研磨面侧形成槽之研磨垫、硬质 弹性构件、及软质构件而成的构造; 在该研磨垫之槽部位的残余厚度d为满足0mm<d≦1.6 mm之条件。 2.如申请专利范围第1项之研磨体,其中,该残余厚 度d系满足d≦0.27mm条件。 3.一种研磨体,系用于研磨装置,该研磨装置系在研 磨体与被研磨物之间介入研磨剂之状态下,藉由对 该研磨体与该被研磨物之间施加荷重,且使该研磨 体与该被研磨物进行相对移动,来研磨该被研磨物 ,其特征在于: 具有依序积层:在研磨面侧形成槽之研磨垫、硬质 弹性构件、及软质构件而成的构造; 在该研磨垫之槽部位的残余厚度d,系当该研磨垫 的该槽以外的部位厚度在2.5mm~5mm的情况,则满足0mm <d≦1.6mm的条件;当该槽以外的部位厚度在0.9mm~2.5mm 的情况,则满足0mm<d≦0.6mm的条件;当该槽以外的部 位厚度在小于0.9mm的情况,则满足0mm<d≦0.27mm的条 件。 4.如申请专利范围第1~3项中任一项之研磨体,其中, 该残余厚度d系满足0.1mm≦d的条件。 5.如申请专利范围第1~3项中任一项之研磨体,其中, 该研磨垫在以1.0kg/cm2加压时的压缩率为10%以下。 6.如申请专利范围第4项之研磨体,其中,该研磨垫 以1.0kg/cm2加压时的压缩率为10%以下。 7.一种研磨垫,系用来构成研磨体者,该研磨体系依 序由在研磨面侧形成槽之研磨垫、硬质弹性构件 、及软质构件所积层而成且使用于研磨装置,该研 磨装置系在研磨体与被研磨物之间介入研磨剂之 状态下,藉由对该研磨体与该被研磨物之间施加荷 重,且使该研磨体与该被研磨物进行相对移动,来 研磨该被研磨物,其特征在于: 该槽部位的残余厚度d,系当该槽以外的部位厚度 在2.5mm以上的情况,则满足0mm<d≦1.6mm的条件;当该 槽以外的部位厚度在0.9 mm~2.5mm的情况,则满足0mm<d ≦0.6mm的条件;当该槽以外的部位厚度在小于0.9mm 的情况,则满足0mm<d≦0.27mm的条件。 8.一种研磨垫,系在研磨面侧形成槽,其特征在于: 该槽部位的残余厚度d,系当该槽以外的部位厚度 在2.5mm以上的情况,则满足0mm<d≦1.6mm的条件;当该 槽以外的部位厚度在0.9 mm~2.5mm的情况,则满足0mm<d ≦0.6mm的条件;当该槽以外的部位厚度在小于0.9mm 的情况,则满足0mm<d≦0.27mm的条件。 9.如申请专利范围第7或8项之研磨垫,其中,该研磨 垫在以1.0kg/cm2加压时的压缩率为10%以下。 10.一种研磨装置,系在研磨体与被研磨物之间介入 研磨剂之状态下,藉由对该研磨体与该被研磨物之 间施加荷重,且使该研磨体与该被研磨物进行相对 移动,来研磨该被研磨物,其特征在于: 该研磨体系申请专利范围第1~6项中任一项之研磨 体。 11.一种半导体元件制造方法,其特征在于具备:使 用申请专利范围第10项之研磨装置,来使半导体晶 圆表面平坦化的步骤。 12.一种半导体元件,其特征在于:系使用申请专利 范围第11项之半导体元件制造方法所制造而成。 图式简单说明: 第1图系本发明一实施形态的研磨装置之示意概略 构造图。 第2图系第1图中之A-A'线截面之局部放大图。 第3图系沿第2图中之B-B'线的概略截面图。 第4图系分析模型的示意概略截面图。 第5图系另一分析模型的示意概略截面图。 第6图系第4图与第5图所示之模型的分析结果图。 第7图系半导体元件制程的流程图。 |
