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经营范围
发明名称
氮化物半导体发光装置及该制造方法
摘要
具备:氮化镓基板;和包含设置在前述氮化镓基板上的发光层的氮化物半导体的多层膜;前述氮化镓基板及前述多层膜,系分别构成:利用同一劈开面的雷射光射出侧端面;和利用同一劈开面的雷射光反射侧端面;在前述雷射光射出侧端面上,设有包含第1氮化矽层的第1膜;在前述雷射光反射侧端面上设有包含:第2氮化矽层,以及交互层积设置在前述第2氮化矽层上的氧化物层与氮化矽层的层积膜的第2膜。
申请公布号
TW200731629
申请公布日期
2007.08.16
申请号
TW095136585
申请日期
2006.10.02
申请人
东芝股份有限公司
发明人
松山隆之;小野村正明
分类号
H01S5/10(2006.01)
主分类号
H01S5/10(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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