发明名称 氮化物半导体发光装置及该制造方法
摘要 具备:氮化镓基板;和包含设置在前述氮化镓基板上的发光层的氮化物半导体的多层膜;前述氮化镓基板及前述多层膜,系分别构成:利用同一劈开面的雷射光射出侧端面;和利用同一劈开面的雷射光反射侧端面;在前述雷射光射出侧端面上,设有包含第1氮化矽层的第1膜;在前述雷射光反射侧端面上设有包含:第2氮化矽层,以及交互层积设置在前述第2氮化矽层上的氧化物层与氮化矽层的层积膜的第2膜。
申请公布号 TW200731629 申请公布日期 2007.08.16
申请号 TW095136585 申请日期 2006.10.02
申请人 东芝股份有限公司 发明人 松山隆之;小野村正明
分类号 H01S5/10(2006.01) 主分类号 H01S5/10(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本