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发明名称 MOS-Transistor, Halbeiterspeicherbauelement mit MOS-Transistoren und Herstellungsverfahren hierfür
摘要
申请公布号 DE4430483(B4) 申请公布日期 2007.08.02
申请号 DE19944430483 申请日期 1994.08.27
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 PARK, KYU-CHAN;SHIM, TAE-EARN;YU, SEON-IL
分类号 H01L27/04;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;H01L29/786 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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