带有防静电二极管的金属化硅芯片及其制造工艺

摘要

本发明揭示几种具有不同结构的带有防静电二极管的金属化硅芯片和带有防静电二极管的LED通孔倒扣焊芯片(即LED芯片倒扣焊于带有防静电二极管的金属化硅芯片上)。带有防静电二极管的金属化硅芯片的结构如下：绝缘的硅芯片的第一表面具有防静电二极管，该防静电二极管的类型是从下述类型选出：PN，NPN，有门(gate)，无门，及它们的组合，等。硅芯片的第一表面的两个电极分别与防静电二极管的两个电极电联接。

主权项

1.一种带有防静电二极管的金属化硅芯片，包括，但不限于：金属化硅芯片；其中，所述的金属化硅芯片的第一面上具有第一电极和第二电极，所述的第一电极和第二电极互相电绝缘；其中，所述的金属化硅芯片的第二面上具有第三电极和第四电极，所述的第三电极和第四电极互相电绝缘；其中，所述的金属化硅芯片的第一面上的第一电极和第二电极分别通过通孔或金属填充塞与第二面上的第三电极和第四电极电连接；防静电二极管；其中，所述的防静电二极管位于金属化硅芯片的第一面和第二面之间。