| 发明名称 | 硅片及其制造方法，以及硅单晶的培育方法 | ||
| 摘要 | 该硅片是在含氢的惰性气氛下通过CZ法培育的，是在晶片厚度方向整个区域上、结晶直径方向的整个区域上不含COP和位错簇的完全无生长引入的缺陷的晶片，且晶片整个区域由晶格间硅优势区域构成。该硅单晶培育方法通过在含氢的惰性气氛中提拉硅单晶，扩大PI区域提拉速度的范围，通过在这种PI区域提拉速度范围内进行提拉，使单晶柱体部分成为晶格间硅优势区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101006206A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200580028656.3 | 申请日期 | 2005.08.24 |
| 申请人 | 株式会社上睦可 | 发明人 | 宝来正隆;杉村涉;小野敏昭 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01);C30B15/20(2006.01);H01L21/322(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | C30B29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李炳爱 |
| 主权项 | 1.硅片，其特征在于，该硅片是在含氢的惰性气氛下通过CZ法培育的，在晶片厚度方向整个区域成为结晶直径方向的整个区域上不合COP和位错簇的完全无生长引入的缺陷的晶片，且晶片整个区域由晶格间硅优势区域构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||