| 发明名称 | 多位可存储非易失性存储器件 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件，包括：在源区和漏区之间限定的沟道区；在沟道区上设置以存储电荷的电荷存储膜；以及在沟道区和电荷存储膜之间插入的隧道绝缘膜，以隧穿电荷，该隧道绝缘膜具有量子密闭膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101005095A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200710001739.4 | 申请日期 | 2007.01.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金是垠;白昇宰;霍宗亮;吕寅硕;林昇炫;韩祯希 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器件，包括：在源区和漏区之间限定的沟道区；在沟道区上设置以存储电荷的电荷存储膜；以及在沟道区和电荷存储膜之间插入的隧道绝缘膜，以隧穿电荷，该隧道绝缘膜具有量子密闭膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||