硅半导体器件玻璃钝化工艺

摘要

一种硅半导体器件玻璃钝化工艺，其特征在于：a.将配制钝化玻璃的各种氧化物或相应的氢氧化物或碳酸盐制成颗粒直径≤1μm的超细微粉作为原材料；b.经高温烧结后，将已成的钝化玻璃重新制成颗粒直径≤1μm的超细微粉作为钝化器件的玻璃粉；c.在玻璃钝化热成型时采用低真空10-10^-1Pa加热处理。采用本发明的工艺可以制取均匀性好，各种微缺陷基本消除，内应力小，窗孔刻蚀图形边缘完整性好，精度高的玻璃钝化膜，使玻璃钝化器件高温反向漏电流减小，成品率和可靠性均得到提高。

主权项

1.一种硅半导体器件玻璃钝化工艺，其特征在于：a.将配制钝化玻璃的各种氧化物或相应的氢氧化物或碳酸盐制成颗粒直径≤1μm的超细微粉作为原材料；b.经高温烧结后，将已成的钝化玻璃重新制成颗粒直径≤1μm的超细微粉作为钝化器件的玻璃粉；c.在玻璃钝化热成型的下列三个温区采用低真空10-10-1Pa加热处理：玻璃除气温度区470℃-550℃除气10分钟；玻璃软化温度区600℃-630℃预成型10分钟；玻璃成型温度区750℃-760℃成型30分钟。