| 摘要 |
本发明揭示一种侧边扩散金属氧化物半导体电晶体，其包含一经形成为穿过磊晶层至少到达基板之顶部表面之沟槽，该沟槽具有一底部表面及一侧壁，该侧壁接触源极区域及通道区域在源极区域下延伸之部分。在导电闸极之上表面及侧壁表面上形成一第一绝缘层。沿沟槽之底部表面及侧壁且在第一绝缘层上形成一形成一源极接点及一闸极屏蔽电极的连续导电材料层覆盖导电闸极之顶部及侧壁表面。在电晶体之作用区(active area)上，包括在该连续导电材料层上，形成一第二绝缘层且其填充该沟槽。一汲电极可在该第二绝缘层上延伸以大体上覆盖该作用区。本发明亦提供一种侧边扩散金属氧化物半导体(LDMOS)电晶体装置，其包括一经掺杂之基板，该基板于其上具有一磊晶层，该磊晶层具有形成于其中之源极及汲极植入区域及主体及经轻微掺杂之汲极区域。通道区域及经轻微掺杂之汲极区域系经掺杂至一深度以邻接基板之顶部表面。在替代实施例中，在基板之顶部表面与通道区域及经轻微掺杂之汲极区域之间在基板之顶部表面上形成具第二导电类型且具有大于或约等于通道区域之掺杂剂浓度的一缓冲区域，其中通道区域及经轻微掺杂之汲极区域系经掺杂至一深度以邻接该缓冲区域。 |
