具有用于反向偏压程式化之高K抗熔丝之记忆体单元MEMORY CELL WITH HIGH-K ANTIFUSE FOR REVERSE BIAS PROGRAMMING

摘要

本发明提供一种积体电路及相关程式化方法。该积体电路包括一记忆体单元，该记忆体单元具有一二极体及一与该二极体相连之抗熔丝。该抗熔丝经建构以包括一高K介电材料，其K大于3.9。另外，该记忆体单元利用一使该记忆体单元之该二极体反向偏压的程式化脉冲而程式化。