| 发明名称 | 包括单字线晶体管的磁性存储元件的系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种包括有磁性金属层以及邻近于此磁性金属层的磁感测设备的MRAM单元。此磁性金属层的一端连接至字线晶体管，且其中包括一个二极管并用于使此磁感测设备连接至位线。此磁性金属层可用于编程并读取此单元，而排除此单元中对第二电流线的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN1967860A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610148451.5 | 申请日期 | 2006.11.10 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01);H01L43/08(2006.01);G11C11/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/22(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储单元，包括：字线晶体管，其包括栅极、源极、以及漏极；磁性金属层，其中该磁性金属层的一端连接至该字线晶体管；磁感测设备，其以一邻近导体而与该磁性金属层分隔；第一位线；二极管，其用以连接该磁感测设备至该第一位线；第二位线，其连接至该磁性金属层的另一端。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||