| 主权项 |
1.一种具尾电流控制之运算转导放大器,包括; 至少六个反相器,分别耦接至一第一电压输入端、 一第二电压输入端、一第一电压输出端及一第二 电压输出端;及 至少六个尾电流电晶体,分别耦接至相对应之该等 反相器与接地端间,每一尾电流电晶体系由一参考 电压控制。 2.如请求项1之运算转导放大器,其中一第一反相器 系耦接至该第一电压输入端及该第一电压输出端 、一第二反相器系耦接至该第二电压输入端及该 第二电压输出端、一第三反相器系耦接至该第一 电压输出端及该第二电压输出端、一第四反相器 系耦接至该第二电压输出端、一第五反相器系耦 接至该第一电压输出端及该第二电压输出端、一 第六反相器系耦接至该第一电压输出端。 3.如请求项1之运算转导放大器,其中该等尾电流电 晶体系为N型电晶体,该等N型电晶体之闸极系由该 参考电压控制。 4.一种具温度补偿之抗失真滤波器,包括: 一主动式电感-电容阶梯式滤波器,包含至少一对 称主动式电感、至少一电容及至少一主动式电阻, 该主动式电感-电容阶梯式滤波器用以将输入讯号 滤除假像频率(Image Frequency); 一温度补偿电路,用以提供一参考电压至该主动式 电感-电容阶梯式滤波器,以稳定该主动式电感-电 容阶梯式滤波器之3dB频宽; 一稳压器,用以提供一稳定之电源至该动式电感- 电容阶梯式滤波器及该温度补偿电路。 5.如请求项4之抗失真滤波器,其中该对称主动式电 感包括至少四个对称式转导放大器及至少一输出 电容,该等对称式转导放大器系以两个为一单元, 该单元内之二对称式转导放大器之输入端与输出 端耦合在一起,该输出电容系耦合连接至该单元之 输出端。 6.如请求项4之抗失真滤波器,其中该主动式电阻包 括一对称式转导放大器,该对称式转导放大器之一 输入正端耦合至一输出负端,且其一输入负端耦合 至一输出正端。 7.如请求项5或6之抗失真滤波器,其中该对称式转 导放大器包括: 至少六个反相器,分别耦接至一第一电压输入端、 一第二电压输入端、一第一电压输出端及一第二 电压输出端;及 至少六个尾电流电晶体,分别耦接至相对应之该等 反相器与接地端间,每一尾电流电晶体系由该参考 电压控制。 8.如请求项7之抗失真滤波器,其中一第一反相器系 耦接至该第一电压输入端及该第一电压输出端、 一第二反相器系耦接至该第二电压输入端及该第 二电压输出端、一第三反相器系耦接至该第一电 压输出端及该第二电压输出端、一第四反相器系 耦接至该第二电压输出端、一第五反相器系耦接 至该第一电压输出端及该第二电压输出端、一第 六反相器系耦接至该第一电压输出端。 9.如请求项7之抗失真滤波器,其中该等尾电流电晶 体系为N型电晶体,该等N型电晶体之闸极系由该参 考电压控制。 10.如请求项4之抗失真滤波器,其中该温度补偿电 路包括一带差电路、一映射电流镜(current mirror)及 一MOS汲-闸连接二极体(MOS D-G-connected diode),该带差 电路系经该映射电流镜以产生一电流,该电流具有 正温度系数之特性,该电流系流入该MOS汲-闸连接 二极体,该MOS汲-闸连接二极体具有负温度系数之 特性,俾使该MOS汲-闸连接二极体两端的电压差具 有对温度不敏感之特性,该电压差为该参考电压。 11.如请求项4之抗失真滤波器,其中该稳压器包括 一运算放大器(Operation amplifier)、一叠接式带差电 路(cascode bandgap circuitry)及一组串联电阻,该叠接式 带差电路之输出电压经由该运算放大器与该串联 电阻分压后提供该稳定之电源。 图式简单说明: 图1系习知六阶被动式电感-电容阶梯式滤波器之 电路示意图; 图2系习知对称式运算转导放大器之电路示意图; 图3系本发明具温度补偿之抗失真滤波器之方块示 意图; 图4系本发明之对称主动式电感之电路示意图; 图5系本发明之主动式电阻之电路示意图; 图6系本发明具尾电流控制之运算转导放大器之电 路示意图; 图7系本发明之稳压器之电路示意图; 图8系本发明之稳压器之叠接式带差电路之电路示 意图; 图9系本发明之温度补偿电路之电路示意图; 图10系F3dB=8.5 MHz,各个角落的模拟示意图;及 图11系F3dB=8.5 MHz,各个角落在布局后的频率响应图 。 |
