| 主权项 |
1.一种由一结晶材料制造一切割装置的方法,其包 括: 在该结晶材料晶圆之一第一侧上切削出至少一刀 片轮廓; 蚀刻该结晶材料晶圆,以形成至少一外科用刀片; 及 分离该等业已蚀刻之结晶材料外科用刀片。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该切削步骤包 括: 藉由一晶粒切割锯条,以在该结晶材料晶圆中切削 出至少一刀片轮廓。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该切削步骤包 括: 藉由一雷射光束,以在该结晶材料晶圆中切削出至 少一刀片轮廓。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该雷射光束系 由准分子雷射或雷射水喷注产生。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该切削步骤包 括: 藉由一超音波机,以在该结晶材料晶圆中切削出至 少一刀片轮廓。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该切削步骤包 括: 藉由一热锻制程,以在该结晶材料晶圆中切削出至 少一刀片轮廓。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻步骤包 括: 将具有至少一刀片轮廓之该结晶材料晶圆置放于 一晶圆舟上; 将该晶圆舟、及该具有至少一刀片轮廓之该结晶 材料晶圆浸渍于一等向性酸性浴中;及 藉由一均匀方式蚀刻该结晶材料,使得可在任何曝 露表面上皆藉一均匀方式移除该结晶材料,因此得 以蚀刻出呈该至少一刀片轮廓外型的一锋利外科 用刀片刀刃。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该等同性酸性 浴包括: 氢氟酸、硝酸、及醋酸之混合物。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中该等向性酸性 浴包括: 氢氟酸、硝酸、及水之混合物。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻步骤 包括: 将具有至少一刀片轮廓之该结晶材料晶圆置放于 一晶圆舟上; 将一喷涂式蚀刻剂喷涂至该晶圆舟、及该具有至 少一刀片轮廓之该结晶材料晶处;及 藉由一均匀方式且利用该喷涂式蚀刻剂来蚀刻该 结晶材料,使得可在任何曝露表面上皆藉一均匀方 式移除该结晶材料,因此得以蚀刻出呈该至少一刀 片轮廓外型的锋利外科用刀片刀刃。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻步骤 包括: 将具有至少一刀片轮廓之该结晶材料晶圆置放于 一晶圆舟上; 将该晶圆舟、及该具有至少一刀片轮廓之该结晶 材料晶圆浸渍于一等向性二氟化氙、六氟化硫、 或相似之氟化气体环境中;及 藉由一均匀方式且利用该等向性二氟化氙、六氟 化硫、或相似之氟化气体来蚀刻该结晶材料,使得 可在任何曝露表面上皆藉一均匀方式移除该结晶 材料,因此得以蚀刻出呈该至少一刀片轮廓外型的 一锋利外科用刀片刀刃。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻步骤 包括: 将具有至少一刀片轮廓之该结晶材料晶圆置放于 一晶圆舟上; 将该晶圆舟、及该具有至少一刀片轮廓之该结晶 材料晶圆浸渍于一电解浴中;及 藉由一均匀方式且利用该电解浴来蚀刻该结晶材 料,使得可在任何曝露表面上皆藉一均匀方式移除 该结晶材料,因此得以蚀刻出呈该至少一刀片轮廓 外型的一锋利外科用刀片刀刃。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中该分离步骤 包括: 藉由一晶粒切割刀片对该业已切削之结晶材料晶 圆作晶粒切割。 14.如申请专利范围第1项之方法,其中该分离步骤 包括: 藉由一雷射光束对该业已切削之结晶材料晶圆作 晶粒切割。 15.如申请专利范围第1项之方法,其中该雷射光束 系由一准分子雷射或一雷射水喷注产生。 16.如申请专利范围第1项之方法,其中又包括: 在切削出呈单斜面外科用刀片型式之该至少一刀 片轮廓之后、且在该蚀刻步骤之前,对该业已切削 之结晶材料晶圆的轮廓作晶粒切割。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中该晶粒切割 步骤包括: 藉由一晶粒切割刀片对该业已切削之结晶材料晶 圆作晶粒切割。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该晶粒切割 步骤包括: 藉由一雷射光束对该业已切削之结晶材料晶圆作 晶粒切割。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中该雷射光束 系由一准分子雷射或一雷射水喷注产生。 20.如申请专利范围第1项之方法,其中又包括: 在该蚀刻步骤之前,于该结晶材料晶圆中之该结晶 材料晶圆一第二侧上切削出至少一第二刀片轮廓 。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中又包括: 涂布该业已切削之结晶材料晶圆的第一侧。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中该涂布步骤 包括: 将选自由氢化矽、氮化钛、氮化钛铝、二氧化矽 、碳化矽、碳化钛、氮化硼、或钻石状结晶所组 成之群的一材料层来涂布该业已切削之结晶材料 晶圆的第一侧。 23.如申请专利范围第20项之方法,其中又包括: 在该第二侧中切削出该至少一第二刀片轮廓之后 、且在该蚀刻步骤之前,对该业已切削之结晶材料 晶圆作晶粒切割,而成为复数个互相分割的已切削 双斜面刀片轮廓。 24.如申请专利范围第23项之方法,其中该晶粒切割 步骤包括: 藉由一晶粒切割刀片对该业已切削之结晶材料晶 圆作晶粒切割。 25.如申请专利范围第23项之方法,其中该晶粒切割 步骤包括: 藉由一雷射光束对该业已切削之结晶材料晶圆作 晶粒切割。 26.如申请专利范围第25项之方法,其中该雷射光束 系由一准分子雷射或一雷射水喷注产生。 27.如申请专利范围第1项之方法,其中又包括: 在该切削结晶材料晶圆之步骤之后,涂布该结晶材 料晶圆之第一侧;及 在该蚀刻步骤之前,将该结晶材料晶圆固定于其第 一侧上。 28.如申请专利范围第27项之方法,其中该涂布步骤 包括: 将选自由氮化矽、氮化钛、氮化钛铝、二氧化矽 、碳化矽、碳化钛、氮化硼、或钻石状结晶所组 成之群的一材料层来涂布该业已形成之结晶材料 晶圆的第一侧。 29.如申请专利范围第1项之方法,其中该结晶材料 包括矽。 30.一种由一结晶材料制造一切割装置的方法,其包 括: 将一结晶材料晶圆固定于一固定总成上; 预切割该固定之结晶材料晶圆,以切割出复数个贯 穿孔基准,来辅助该切削步骤; 在该结晶材料晶圆之一第一侧上切削出至少一刀 片轮廓; 蚀刻该结晶材料晶圆,以形成至少一外科用刀片; 分离该等业已蚀刻之结晶材料外科用刀片;及 藉由紫外线来辐射该业已分离之蚀刻结晶材料外 科用刀片,以自该固定总成分割出,而准备加以封 装后再贩售。 31.如申请专利范围第30项之方法,其中该预切割步 骤包括: 藉由一雷射光束,在该业已固定之结晶材料晶圆中 预切割出该等贯穿孔基准。 32.如申请专利范围第31项之方法,其中该雷射光束 系由一准分子雷射或一雷射水喷注产生。 33.如申请专利范围第30项之方法,其中该预切割步 骤包括: 藉由一机械切削装置,在该业已固定之结晶材料晶 圆中预切割出该等贯穿孔基准。 34.如申请专利范围第33项之方法,其中该机械切削 装置包括一钻孔工具、超音波切削工具、或一机 械研磨装置。 35.如申请专利范围第30项之方法,其中该结晶材料 包括矽。 36.一种由一结晶材料制造一切割装置的方法,其包 括: 将一结晶材料晶圆固定于一固定总成上; 预切割该固定之结晶材料晶圆,以切割出复数个沟 槽,来辅助该切削步骤; 在该结晶材料晶圆之一第一侧上切削出至少一刀 片轮廓; 蚀刻该结晶材料晶圆,以形成至少一外科用刀片; 分离该等业已蚀刻之结晶材料外科用刀片;及 藉由紫外线来辐射该业已分离之蚀刻结晶材料外 科用刀片,以自该固定总成分割出,而准备加以封 装后再贩售。 37.如申请专利范围第36项之方法,其中又包括: 藉由一雷射光束,在该业已固定之结晶材料晶圆中 ,远离该结晶材料边缘之一距离处,预切割出该等 沟槽;及 藉由一晶粒切割锯条切削出该至少一刀片轮廓,其 中该晶粒切割锯条系在该等预切割沟槽处与该结 晶晶圆啮合。 38.如申请专利范围第37项之方法,其中该雷射光束 系由一准分子雷射或一雷射水喷注产生。 39.如申请专利范围第36项之方法,其中又包括: 藉由一机械切削装置,在该业已固定之结晶材料晶 圆中,远离该结晶材料边缘之一距离处,预切割出 该等沟槽;及 藉由一晶粒切割锯条切削出该至少一刀片轮廓,其 中该晶粒切割锯条系在该等预切割沟槽处与该结 晶晶圆啮合。 40.如申请专利范围第39项之方法,其中该机械切削 装置包括一钻孔工具、超音波切削工具、或一机 械研磨装置。 41.如申请专利范围第36项之方法,其中该结晶材料 包括矽。 图式简单说明: 第1图系显示依据本发明之一第一具体实施例,用 于由矽来制造一双斜面外科用刀片的方法之流程 图; 第2图系显示依据本发明之一第二具体实施例,用 于由矽来制造一单斜面外科用刀片的方法之流程 图; 第3图系显示依据本发明之一第三具体实施例,用 于由矽来制造一单斜面外科用刀片的变型方法之 流程图; 第4图系以上视图来显示固定于一固定总成上的一 矽晶圆; 第5图系以侧视图来显示固定于具有胶带之一固定 总成上的一矽晶圆; 第6图系显示依据本发明之一具体实施例,使用一 雷射水喷注来预切割一矽晶圆,以辅助在该矽晶圆 中切削出沟渠; 第7A图至第7D图系显示依据本发明之一具体实施例 ,用于在一矽晶圆中切削沟渠之晶粒切割锯条的架 构; 第8图系显示依据本发明之一具体实施例,一晶粒 切割锯条贯穿固定于支持背垫上之一矽晶圆时的 动作; 第8A图至第8C图系显示依据本发明之一具体实施例 ,当藉由一晶粒切割锯条在一矽晶圆中切削沟渠时 的沟槽使用方式; 第9图系显示依据本发明之一具体实施例,用于在 胶带式固定之一矽晶圆中切削一沟渠之一晶粒切 割锯条的剖面图; 第10A图与第10B图系分别显示出,依据本发明之一具 体实施例制成之具有一单斜面切割刀刃的一矽质 外科用刀片、与具有一双斜面切割刀刃的一矽质 外科用刀片; 第11图系显示依据本发明之一具体实施例,用于在 一矽晶圆中切削复数个沟渠之一雷射系统的方块 图; 第12图系显示依据本发明之一具体实施例,用于在 一矽晶圆中切削沟渠之一超音波切削系统的方块 图; 第13图系依据本发明之一具体实施例,用于在一矽 晶圆中形成复数个沟渠之一热锻系统的图式; 第14图系显示依据本发明之一具体实施例,具有已 切削完成之一单一沟渠及施加至切削侧之一涂覆 的一矽晶圆; 第15图系显示依据本发明之一具体实施例,用于在 藉胶带式固定之一矽晶圆中切削出一第二沟渠的 一晶粒切割锯条剖面图; 第16图系显示依据本发明之一具体实施例,已在两 侧上切削出沟渠之一矽晶圆的剖面影像; 第17A图及第17B图系显示依据本发明之一具体实施 例,在一矽晶圆上实施一等向性蚀刻制程,其中该 矽晶圆之两侧上皆具有已切削成之沟渠; 第18A图及第18B图系依据本发明之一具体实施例,在 一矽晶圆上实施之一等向性蚀刻制程,其中该矽晶 圆之两侧上皆具有已切削成之沟渠,且某一侧上具 有一涂覆层; 第19图系显示依据本发明之一具体实施例来制造 在一侧上具有一涂覆之一双斜面矽质外科用刀片 的一最终切割刀刃; 第20A图至第20G图系显示可依据本发明之方法制造 的矽质基材外科用刀片之各种范例; 第21A图与第21B图系分别显示,在5,000X倍放大率下之 依据本发明一具体实施例制造的一矽质外科用刀 片、与一不锈钢外科用刀片的侧视图; 第22A图与第22B图系分别显示,在10,000X倍放大率下 之依据本发明一具体实施例制造的一矽质外科用 刀片、与一不锈钢外科用之刀片刀刃的上视图; 第23A图及第23B图系显示依据本发明之更一具体实 施例,在一矽晶圆上之一等向性蚀刻制程,其中该 矽晶圆之一侧上具有一业已切削成之沟渠,且在一 相对侧上具有一涂覆层; 第24图系显示一手柄与依据本发明一具体实施例 制造之一外科用刀片的一柱件-沟槽总成;及 第25A图及第25B图系显示由一结晶材料制成的一刀 片刀刃、以及由一结晶材料制成且该结晶材料包 括依据本发明一具体实施例之一层转换制程的一 刀片刀刃之轮廓透视。 |
