| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含: 一半导体晶片,在其表面上形成积体电路及和其电 连接的一感测器元件; 一触点电极,其系形成于该半导体晶片的表面侧上 ,且系电连接至至少该积体电路; 一电极部分,其系设于该半导体晶片的表面侧上, 且将该半导体晶片电连接至外部电路; 一线路部分,其将该触点电极电连接至该电极部分 ;及 一绝缘部分,其系以电绝缘材料形成,其在该半导 体晶片之表面侧上曝露至少该电极部分的一状态 中,覆盖该半导体晶片的表面且密封该感测器元件 、线路部分、及电极部分; 及其中 该电极部分系置于该半导体晶片的厚度方向中不 会和该感测器元件重叠的一位置中。 2.如请求项1之半导体装置,其中将该线路部分置于 该半导体晶片的厚度方向中不和该感测器元件重 叠的一位置中。 3.如请求项1之半导体装置,其中: 提供复数个该等电极部分: 在该半导体晶片的该表面上按实质上相等的间隔 必须配置延伸于一个方向中的复数个第一点阵线, 以实质上均等划分该表面;沿着该表面按实质上相 等的间隔必须配置和该等第一点阵线相交的复数 个第二点阵线; 采取该等第一点阵线及该等第二点阵线的各交点 以作为该等电极部分的虚拟设置位置; 在该等电极部分之中,将在该厚度方向中未和该感 测器元件重叠的一个电极部分置于该虚拟设置位 置中; 将在该等电极部分中的另一个电极部分置于从该 等虚拟设置位置沿着第一点阵线或沿着第二点阵 线在远离该感测器元件的一方向中移位的位置中; 及 在该等第一点阵线上或在该等第二点阵线上,置于 相邻点阵线之间的电极部分的数量为一或更少。 4.如请求项1之半导体装置,其中提供复数个该等感 测器元件及复数个该等电极部分,及置于该感测器 元件附近之该等感测器元件及该等电极部分间的 位置关系,以及置于各感测器元件附近之该等电极 部分的数量,对于所有该等感测器元件均相同。 5.如请求项1之半导体装置,其中和置于距该感测器 元件比该一电极部分更远之距离处的其他电极部 分相比,将置于和该感测器元件相邻之一位置中的 一电极部分形成得比较小。 6.一种半导体装置,其包含: 一半导体晶片,在其表面上形成积体电路及和其电 连接的一感测器元件; 一触点电极,其系形成于该半导体晶片的表面侧上 ,且系电连接至至少该积体电路; 复数个电极部分,其系设于该半导体晶片的表面侧 上,且将该半导体晶片电连接至外部电路; 一线路部分,其可将该触点电极电连接至该等电极 部分;及 一绝缘部分,其系以电绝缘材料形成,其在该半导 体晶片之表面侧上曝露至少该等电极部分的一状 态中,覆盖该半导体晶片的表面且密封该感测器元 件、线路部分、及电极部分; 及其中 该等电极部分含有在该半导体晶片的厚度方向中 从该绝缘部分突出的突出部分;及 和置于离该感测器元件一段距离处之其他突出部 分相比,置于和该感测器元件相邻的一突出部分具 有从该绝缘部分突出的一较小突出长度。 7.一种半导体装置,其包含: 一半导体晶片,在其表面上形成积体电路及和其电 连接的一感测器元件; 一触点电极,其系形成于该半导体晶片的表面侧上 ,且系电连接至至少该积体电路; 复数个电极部分,其系设于该半导体晶片的表面侧 上,且将该半导体晶片电连接至外部电路; 一线路部分,其可将该触点电极电连接至该等电极 部分;及 一绝缘部分,其系以电绝缘材料形成,其在该半导 体晶片之表面侧上曝露至少该等电极部分的一状 态中,覆盖该半导体晶片的表面且密封该感测器元 件、线路部分、及电极部分; 及其中 该等电极部分含有在该半导体晶片的厚度方向中 从该绝缘部分突出的突出部分;及 和置于离该感测器元件一段距离处之其他突出部 分相比,置于和该感测器元件相邻的一突出部分系 以具有一较低熔点的导电材料形成。 8.一种半导体装置,其包含: 一半导体晶片,在其表面上形成积体电路及和其电 连接的一感测器元件; 一触点电极,其系形成于该半导体晶片的表面侧上 ,且系电连接至至少该积体电路; 复数个电极部分,其系设于该半导体晶片的表面侧 上,且将该半导体晶片电连接至外部电路; 一线路部分,其可将该触点电极电连接至该等电极 部分;及 一绝缘部分,其系以电绝缘材料形成,其在该半导 体晶片之表面侧上曝露至少该等电极部分的一状 态中,覆盖该半导体晶片的表面且密封该感测器元 件、线路部分、及电极部分; 及其中 该等电极部分含有在该半导体晶片的厚度方向中 从该绝缘部分突出的突出部分; 该等突出部分包括:一实质上球面的核心,其系以 一导电材料形成;及一外壳部分,其覆盖该核心的 周围,且系以具有低于该导电材料之熔点之一熔点 的一导电材料形成;及 将置于和该感测器元件相邻之一突出部分的核心 形成为小于置于离该感测器元件一段距离处之其 他突出部分的核心,此外,该一突出部分和该等其 他突出部分之外壳部分的直径为实质上相等。 9.一种磁感测器,其包含:一磁感测器晶片,其形成 为实质上一薄片形状,其对一磁场之至少一方向中 的磁性组件灵敏;及复数个电极部分,其从该磁感 测器晶片的表面突出,其将该磁感测器晶片电连接 至一实质上薄片状的电路板,其中 该等电极部分系在该磁感测器晶片的表面上配置 成一列。 10.一种磁感测器,其包含:一磁感测器晶片,其形成 为实质上一薄片形状,其对一磁场之至少一方向中 的磁性组件灵敏;及复数个电极部分,其从该磁感 测器晶片的表面突出,其将该磁感测器晶片电连接 至一实质上薄片状的电路板,其中 该等电极部分系在该磁感测器晶片之表面上配置 成复数个平行列;及 该等电极部分的突出长度在该复数列的配置方向 中逐渐减少。 11.一种磁感测器单元,其包含:如请求项9或10之磁 感测器中的两个磁感测器;及一电路板,其上黏着 该等磁感测器且该等电极部分和该表面接触,其中 该等磁感测器中至少一个的磁感测器晶片对两个 方向中之磁场的磁性组件灵敏;及 将该等磁感测器置于该电路板上,至少部分重叠, 致使另一个磁感测器晶片之灵敏度的方向和包含 该一磁感测器晶片之灵敏度之两个方向的平面相 交。 12.一种磁感测器单元,其包含:如请求项9或10之磁 感测器中的两个磁感测器;及一电路板,其上黏着 该等磁感测器,其中 该等磁感测器中至少一个的磁感测器晶片对两个 方向中之磁场的磁性组件灵敏;及 将该等磁感测器置于该电路板上,至少部分重叠, 致使另一个磁感测器晶片之灵敏度的方向和包含 该一磁感测器晶片之灵敏度之两个方向的平面相 交。 13.一种磁感测器单元,其包含:一第一磁感测器,其 系对两个方向中之一磁场的磁性组件灵敏;一第二 磁感测器,其系对至少一方向中之一磁场的磁性组 件灵敏;及一实质上薄片状的电路板,其表面上黏 着该等两个磁感测器,其中 各该等磁感测器含有:一磁感测器晶片,其系按实 质上一薄片形状形成;及复数个电极部分,其从该 磁感测器晶片的表面突出,其系和该电路板之表面 接触且系电连接至该电路板;及 使该等磁感测器晶片中至少一个相对于该电路板 的后表面为倾斜,致使该第二磁感测器之灵敏度的 方向和包括该第一磁感测器之灵敏度之两个方向 的平面相交,此外,该电路板之厚度方向中之高度 尺寸及该等电极部分之高度尺寸的总和在各部分 中有所变更。 14.如请求项13之磁感测器单元,其中将该电路板的 表面形成为一楼梯形状,及将至少一磁感测器的电 极部分置于分开之阶梯的顶面上。 图式简单说明: 图1为显示本发明之一方面之半导体装置的平面简 图; 图2为沿着图1半导体装置之箭头A-A的横截面图; 图3为沿着图1半导体装置之箭头B-B的横截面图; 图4图解显示图1之半导体装置的制造方法; 图5为显示本发明之另一方面之半导体装置的平面 简图; 图6为沿着图5半导体装置之箭头C-C的横截面图; 图7为显示本发明之另一方面之半导体装置的平面 简图; 图8为显示本发明之另一方面之半导体装置的平面 简图; 图9显示本发明另一方面之半导体装置的焊球,其 中图9A为置于离薄膜磁性元件一段距离处之位置 中之焊球的横截面图,及图9B为置于重叠薄膜磁性 元件之位置中之焊球的横截面图; 图10为显示本发明之另一方面之半导体装置的平 面简图; 图11A-C为显示本发明另一方面之半导体装置之电 极部分的放大横截面图; 图12为显示先前技术之半导体装置范例的平面简 图; 图13为显示本发明第二方面之磁感测器单元的平 面简图; 图14为图13之磁感测器单元的侧面简图; 图15为显示本发明另一方面之磁感测器单元的平 面简图; 图16为图15之磁感测器单元的侧面简图; 图17为显示图15磁感测器单元之电极部分位置及斜 角间之关系的曲线图; 图18为显示本发明另一方面之磁感测器单元的平 面简图; 图19为显示本发明另一方面之磁感测器单元的平 面简图; 图20为显示本发明另一方面之磁感测器单元的平 面简图; 图21为显示本发明另一方面之磁感测器单元的平 面简图; 图22显示本发明之另一方面的磁感测器,其中图22A 为侧面简图,及图22B为显示电路板上黏着状态的侧 面简图; 图23为显示本发明第三方面之磁感测器单元的平 面简图; 图24为图23之磁感测器单元的侧面简图; 图25为显示本发明另一方面之磁感测器单元的侧 面简图; 图26显示本发明之另一方面的磁感测器,其中图26A 为侧面简图,及图26B为显示电路板上黏着状态的侧 面简图; 图27为显示本发明另一方面之磁感测器单元的侧 面简图;及 图28为显示本发明另一方面之磁感测器单元的侧 面简图。 |
