| 主权项 |
1.一种感应放大器,用以检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号间的电位差,该感应放大器包 含: 第一和第二电晶体; 第一,第二第三,和第四开关;和 第一和第二电容器, 其中第一电晶体的闸极电连接至第一开关的第一 端和第一电容器的第一端, 其中第一电晶体的汲极电连接至第一开关的第二 端, 其中第二电晶体的闸极电连接至第二开关的第一 端和第二电容器的第一端, 其中第二电晶体的汲极电连接至第二开关的第二 端, 其中第一和第二电晶体的源极互相电连接, 其中第一电晶体的汲极经由第三开关和第一电阻 连接至一电源,和 其中第二电晶体的汲极经由第四开关和第二电阻 连接至该电源。 2.一种感应放大器,用以检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号间的电位差,该感应放大器包 含: 第一和第二电晶体; 第一,第二,第三,第四,和第五开关;和 第一和第二电容器, 其中第一电晶体的闸极电连接至第一开关的第一 端和第一电容器的第一端, 其中第一电晶体的汲极电连接至第一开关的第二 端, 其中第二电晶体的闸极电连接至第二开关的第一 端和第二电容器的第一端, 其中第二电晶体的汲极电连接至第二开关的第二 端,和 其中第一和第二电晶体的源极经由第三开关电连 接至第一电源, 其中第一电晶体的汲极经由第三开关和第一电阻 连接至第二电源,和 其中第二电晶体的汲极经由第四开关和第二电阻 连接至该第二电源。 3.一种感应放大器,用以检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号间的电位差,该感应放大器包 含: 第一和第二电晶体; 第一,第二,第三,和第四开关;和 第一和第二电容器, 其中第一电晶体的闸极电连接至第一开关的第一 端和第一电容器的第一端, 其中第一电晶体的汲极电连接至第一开关的第二 端, 其中第二电晶体的闸极电连接至第二开关的第一 端和第二电容器的第一端, 其中第二电晶体的汲极电连接至第二开关的第二 端,和 其中第一和第二电晶体的汲极分别经由第三和第 四开关电连接至一电源。 4.一种感应放大器,用以检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号间的电位差,该感应放大器包 含: 第一,第二,第三,和第四电晶体; 第一,第二,第三,和第四开关;和 第一和第二电容器, 其中第一电晶体的闸极电连接至第一开关的第一 端和第一电容器的第一端, 其中第一电晶体的汲极电连接至第一开关的第二 端, 其中第二电晶体的闸极电连接至第二开关的第一 端和第二电容器的第一端, 其中第二电晶体的汲极电连接至第二开关的第二 端,和 其中第一电晶体的汲极经由第三开关和第三电晶 体电连接至一电源,第二电晶体的汲极经由第四开 关和第四电晶体电连接至一电源,和第三和第四电 晶体的闸极都连接至第三电晶体的汲极。 5.一种感应放大器,用以检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号间的电位差,该感应放大器包 含: 第一和第二电晶体; 第一,第二,第三,第四,和第五开关;和 第一和第二电容器, 其中第一电晶体的闸极电连接至第一开关的第一 端和第一电容器的第一端, 其中第一电晶体的汲极电连接至第一开关的第二 端, 其中第二电晶体的闸极电连接至第二开关的第一 端和第二电容器的第一端, 其中第二电晶体的汲极电连接至第二开关的第二 端, 其中第一和第二电晶体的源极经由第三开关电连 接至第一电源,和 其中第一和第二电晶体的汲极分别经由第四和第 五开关电连接至第二电源。 6.如申请专利范围第1项的感应放大器,其中第一和 第二开关是NMOS电晶体。 7.一种感应放大器,用以检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号间的电位差,该感应放大器包 含: 第一和第二电晶体; 第一,第二,第三,第四,第五,第六,第七,和第八开关 ;和 第一和第二电容器, 其中第一电晶体的闸极电连接至第一开关的第一 端和第一电容器的第一端, 其中第一电晶体的汲极电连接至第一开关的第二 端, 其中第二电晶体的闸极电连接至第二开关的第一 端和第二电容器的第一端, 其中第二电晶体的汲极电连接至第二开关的第二 端, 其中第一和第二电晶体的源极互相电连接, 其中第一电晶体的汲极经由第三开关连接至第一 电源, 其中第二电晶体的汲极经由第四开关连接至该第 一电源, 其中第一电容的第二端分别经由第五开关和第六 开关电连接至第一输入端和第二电源,和 其中第二电容的第二端分别经由第六开关和第八 开关电连接至第二输入端和第一电源。 8.一种感应放大器,用于检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号的电位差,该感应放大器包含 : 第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、 第八及第九开关; 第一、第二、第三和第四电容器,其中第一电容器 的第二端被电连接到第六开关的第一端和第七开 关的第一端,而第二电容器的第二端被电连接到第 八开关的第一端和第九开关的第一端; 第一、第二和第三电源; 第一PMOS电晶体,它包含被电连接到第一电源的源 极,被电连接到第一开关的第一端的汲极,和电连 接到汲极的闸极; 第二PMOS电晶体,它包含被电连接到第一电源的源 极,被电连接到第二开关的第一端的汲极,和电连 接到第一PMOS电晶体的汲极的闸极; 第一NMOS电晶体,它包含被电连接到第三开关的第 二端、第一电容器的第一端,以及第二电容器的第 一端的闸极; 第二NMOS电晶体,它包含被电连接到第四开关的第 二端、第三电容器的第一端,以及第四电容器的第 一端的闸极,其中第一和第二NMOS电晶体的源极都 被电连接到第五开关的第一端、第二电容器的第 二端和第四电容器的第二端;以及 被电连接到第二PMOS电晶体的汲极的输出端, 其中第一开关的第二端被电连接到第一NMOS电晶体 的汲极和第三开关的第一端,而第二开关的第二端 被电连接到第二NMOS电晶体的汲极和第四开关的第 一端,和 其中第五开关的第二端被电连接到第二电源,第六 开关的第二端被电连接到第一输入端,第七开关的 第二端被电连接到第三电源,第八开关的第二端被 电连接到第二输入端,第九开关的第二端被电连接 到第三电源。 9.一种感应放大器,用于检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号的电位差,该感应放大器包含 : 第一、第二和第三电源; 第一、第二、第三、第四和第五开关,其中第五开 关的第二端被电连接到第二电源; 第一、第二、第三和第四电容器,其中第一电容器 的第二端被电连接到第一输入端,而第二电容器的 第二端被电连接到第二输入端; 第一PMOS电晶体,它包含被电连接到第一电源的源 极,被电连接到第一开关的第一端的汲极,以及电 连接到汲极的闸极; 第二PMOS电晶体,它包含被电连接到第一电源的源 极,被电连接到第二开关的第一端的汲极,以及电 连接到第一PMOS电晶体的汲极的闸极; 第一NMOS电晶体,它包含被电连接到第三开关的第 二端、第一电容器的第一端,以及第二电容器的第 一端的闸极; 第二NMOS电晶体,它包含被电连接到第四开关的第 二端、第三电容器的第一端,以及第四电容器的第 一端的闸极,其中第一和第二NMOS电晶体的源极都 被电连接到第五开关的第一端、第二电容器的第 二端和第四电容器的第二端;以及 被电连接到第二PMOS电晶体的汲极的输出端。 10.一种感应放大器,用于检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号的电位差,该感应放大器包含 : 第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、 第八及第九开关; 第一、第二、第三和第四电容器,其中第一电容器 的第二端被电连接到第六开关的第一端和第七开 关的第一端,而第二电容器的第二端被电连接到第 八开关的第一端和第九开关的第一端; 第一、第二和第三电源; 具有第一端被电连接到第一电源和第二端被电连 接到第一开关的第一端的第一电阻器; 具有第一端被电连接到第一电源的和第二端被电 连接到第二开关的第一端的第二电阻器; 第一NMOS电晶体,其中第一NMOS电晶体的闸极被电连 接到第三开关的第二端、第一电容器的第一端和 第二容器的第一端; 第二NMOS电晶体,其中第二NMOS电晶体的闸极被电连 接到第四开关的第二端、第三电容器的第一端以 及第四电容器的第一端,并且第一和第二NMOS电晶 体的源极都被电连接到第五开关的第一端、第二 电容器的第二端和第四电容器的第二端;以及 被电连接到第二电阻器的汲极的输出端, 其中第一开关的第二端被电连接到第一NMOS电晶体 的汲极和第三开关的第一端,而第二开关的第二端 被电连接到第二NMOS电晶体的汲极和第四开关的第 一端,和 其中第五开关的第二端被电连接到第二电源,第一 电容器的第二端被电连接到第六开关的第一端和 第七开关的第一端,第二电容器的第二端被电连接 到第八开关的第一端和第九开关的第一端,第六开 关的第二端被电连接到第一输入端,第七开关的第 二端被电连接到第三电源,第八开关的第二端被电 连接到第二输入端,第九开关的第二端被电连接到 第三电源。 11.一种感应放大器,用于检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号的电位差,该感应放大器包含 : 第一、第二、第三、第四和第五开关; 第一、第二、第三和第四电容器,其中第一电容器 的第二端被电连接到第一输入端,而第二电容器的 第二端被电连接到第二输入端; 第一、第二和第三电源; 具有第一端被电连接到第一电源的和第二端被电 连接到第一开关的第一端的第一电阻器; 具有第一端被电连接到第一电源的和第二端被电 连接到第二开关的第一端的第二电阻器; 第一NMOS电晶体,其中第一NMOS电晶体的闸极被电连 接到第三开关的第二端、第一电容器的第一端以 及第二容器的第一端; 第二NMOS电晶体,其中第二NMOS电晶体的闸极被电连 接到第四开关的第二端、第三电容器的第一端以 及第四电容器的第一端,而第一和第二NMOS电晶体 的源极都被电连接到第五开关的第一端、第二电 容器的第二端和第四电容器的第二端;以及 被电连接到第二电阻器的汲极的输出端。 12.一种感应放大器,用于检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号的电位差,该感应放大器包含 : 第一、第二和第三电源; 第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、 第八及第九开关,其中第一和第二开关的第一端都 被电连接到第一电源; 第一、第二、第三和第四电容器,其中第一电容器 的第二端被电连接到第六开关的第一端和第七开 关的第一端,而第二电容器的第二端被电连接到第 八开关的第一端和第九开关的第一端; 第一NMOS电晶体,其中第一NMOS电晶体的闸极被电连 接到第三开关的第二端、第一电容器的第一端以 及第二容器的第一端; 第二NMOS电晶体,其中第二NMOS电晶体的闸极被电连 接到第四开关的第二端、第三电容器的第一端以 及第四电容器的第一端,第一和第二NMOS电晶体的 源极都被电连接到第五开关的第一端、第二电容 器的第二端和第四电容器的第二端;以及 被电连接到第二开关的第二端的输出端, 其中第一开关的第二端被电连接到第一NMOS电晶体 的汲极和第三开关的第一端,而第二开关的第二端 被电连接到第二NMOS电晶体的汲极和第四开关的第 一端,以及 其中第五开关的第二端被电连接到第二电源,第六 开关的第二端被电连接到第一输入端,第七开关的 第二端被电连接到第三电源,第八开关的第二端被 电连接到第二输入端,第九开关的第二端被电连接 到第三电源。 13.一种感应放大器,用于检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号的电位差,该感应放大器包含 : 第一、第二和第三电源; 第一、第二、第三、第四、和第五开关,其中第一 和第二开关的第一端都被电连接到第一电源,而第 五开关的第二端被电连接到第二电源; 第一、第二、第三和第四电容器,其中第一电容器 的第二端被电连接到第一输入端,而第二电容器的 第二端被电连接到第二输入端; 第一NMOS电晶体,其中第一NMOS电晶体的闸极被电连 接到第三开关的第二端、第一电容器的第一端以 及第二电容器的第一端; 第二NMOS电晶体,其中第二NMOS电晶体的闸极被电连 接到第四开关的第二端、第三电容器的第一端以 及第四电容器的第一端,第一和第二NMOS电晶体的 源极都被电连接到第五开关的第一端、第二电容 器的第二端和第四电容器的第二端;以及 被电连接到第二开关的第二端的输出端, 其中第一开关的第二端被电连接到第一NMOS电晶体 的汲极和第三开关的第一端,而第二开关的第二端 被电连接到第二NMOS电晶体的汲极和第四开关的第 一端。 14.一种感应放大器,包含: 第一电晶体,包含一闸极经由第一电容和第五电晶 体连接至第一输入端,一源极电连接至第三电容器 的第二端和第六电晶体,和一汲极经由第七电晶体 连接至该闸极; 第二电晶体,包含一闸极经由第二电容和第八电晶 体连接至第二输入端,一源极电连接至第四电容器 的第二端和第六电晶体,和一汲极经由第九电晶体 连接至该闸极; 第三电晶体,包含一源极连接至第二电源,一汲极 经由第十电晶体连接至第一电晶体,和一闸极电连 接至该汲极; 第四电晶体,包含一源极连接至第二电源,和一汲 极经由第十一电晶体连接至第二电晶体; 一输出端,其电连接至第四电晶体的汲极; 第十二电晶体,其电连接至第一电容器和第五电晶 体; 第十三电晶体,其电连接至第二电容器和第八电晶 体, 其中第一和第二电晶体的源极互相连接, 其中第三和第四电晶体的闸极互相连接, 其中第五和第八电晶体的闸极互相连接, 其中第七和第九电晶体的闸极互相连接, 其中第十和第十一电晶体的闸极互相连接, 其中第十二和第十三电晶体的闸极互相连接,和 其中第六、第十二、和第十三电晶体连接至第一 电源。 15.一种感应放大器,用于检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号的电位差,该感应放大器包含 : 第一和第二电源; 第一、第二和第三开关,其中第三开关的第二端被 连接到第二电源; 第一和第二电容器; 第一PMOS电晶体,其中第一PMOS电晶体的闸极被连接 到第一开关的第二端和第一电容器的第二端; 第二PMOS电晶体,其中第二PMOS电晶体的闸极被连接 到第二开关的第二端和第二电容器的第二端,第一 和第二PMOS电晶体的源极都被连接到第一电源; 第一NMOS电晶体,其中第一NMOS电晶体的闸极被连接 到第一输入端,而第一NMOS电晶体的汲极被连接到 第一PMOS电晶体的汲极、第一开关的第一端、第一 电容器的第一端和第二电容器的第一端; 第二NMOS电晶体,其中第二NMOS电晶体的闸极被连接 到第二输入端;第二NMOS电晶体的汲极被连接到第 二PMOS电晶体的汲极和第二开关的第一端;第一NMOS 电晶体和第二NMOS电晶体的源极都被连接到第三开 关的第一端;和 被连接到第二NMOS电晶体的汲极的输出端。 16.一种感应放大器,用于检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号的电位差,该感应放大器包含 : 第一和第二电源; 第一、第二、第三和第四开关,其中第一开关的第 一端被连接到第三开关的第一端,而第二开关的第 一端被连接到第四开关的第一端; 第一和第二电容器; 第一PMOS电晶体,其中第一PMOS电晶体的汲极被连接 到第一开关的第一端和第一电容器的第一端;而第 二电容器的第一端,以及 第一PMOS电晶体的闸极被连接到第一开关的第二端 和第一电容器的第二端; 第二PMOS电晶体,其中第二PMOS电晶体的汲极被连接 到第二开关的第一端,第二PMOS电晶体的闸极被连 接到第二开关的第二端和第二电容器的第二端,且 第一和第二PMOS电晶体的源极都被连接到第一电源 ; 第一NMOS电晶体,其中第一NMOS电晶体的闸极被连接 到第一输入端,而第一NMOS电晶体的汲极被连接到 第三开关的第二端; 第二NMOS电晶体,其中第二NMOS电晶体的闸极被连接 到第二输入端;第二NMOS电晶体的汲极被连接到第 四开关的第二端; 第三NMOS电晶体,其中第三NMOS电晶体的源极被连接 到第二电源;以及 被连接到第二NMOS电晶体的汲极的输出端, 其中第一和第二NMOS电晶体的源极都被连接到第三 NMOS电晶体的汲极。 17.一种感应放大器,用于检测被输入到第一输入端 和第二输入端的讯号的电位差,该感应放大器包含 : 第一、第二和第三电源; 第一、第二、第三、第四、第五和第六开关,其中 第一开关的第一端被连接到第三开关的第一端,而 第二开关的第一端被连接到第四开关的第一端,第 五和第六开关的第二端都被连接到第三电源; 第一和第二电容器; 第一PMOS电晶体,其中第一PMOS电晶体的漏被连接到 第一开关的第一端、第一电容器的第一端和第二 电容器的第一端,而第一PMOS电晶体的闸极被连接 到第一开关的第二端和第一电容器的第二端; 第二PMOS电晶体,其中第二PMOS电晶体的汲极被连接 到第二开关的第一端,且第一和第二PMOS电晶体的 源极都被连接到第一电源,而第二PMOS电晶体的闸 极被连接到第二开关的第二端和第二电容器的第 二端; 第一NMOS电晶体,其中第一NMOS电晶体的汲极被连接 到第三开关的第二端,而第一NMOS电晶体的闸极被 连接到第一输入端,其中第二NMOS电晶体的闸极被 连接到第二输入端; 第二NMOS电晶体,其中第二NMOS电晶体的汲极被连接 到第四开关的第二端; 第三NMOS电晶体,其中第三NMOS电晶体的源极被连接 到第二电源;和 被连接到第二NMOS电晶体的汲极的输出端, 其中第一和第二NMOS电晶体的源极都被连接到第三 NMOS电晶体的汲极,以及 其中第一PMOS电晶体的汲极被连接到第五开关的第 一端,而第二PMOS电晶体的汲极被连接到第六开关 的第一端。 18.如申请专利范围第2项的感应放大器,其中第一, 第二,和第三开关是NMOS电晶体。 19.如申请专利范围第3项的感应放大器,其中第一, 第二,第三,和第四开关是NMOS电晶体。 20.如申请专利范围第18项的感应放大器,其中第一 和第二薄膜电晶体的各个电晶体包含一由连续波 雷射光晶化的半导体膜。 21.如申请专利范围第19项的感应放大器,其中第一 和第二薄膜电晶体的各个电晶体包含一由连续波 雷射结晶的半导体膜。 22.如申请专利范围第1项的感应放大器,其中该感 应放大器包含于一电子装置中,该电子装置选自由 行动电话、视频相机、移动电脑、头戴式显示器 、电视、携带型电子书、个人电脑、播放器、数 位相机、和单眼头戴式显示器组成的群之一。 23.如申请专利范围第8项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 24.如申请专利范围第8项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 25.如申请专利范围第23项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 26.如申请专利范围第24项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且半导 体膜由连续波雷射结晶。 27.一种电子装置,其包含如申请专利范围第8项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 28.如申请专利范围第9项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 29.如申请专利范围第9项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 30.如申请专利范围第28项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 31.如申请专利范围第29项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 32.一种电子装置,其包含如申请专利范围第9项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 33.如申请专利范围第10项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 34.如申请专利范围第10项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 35.如申请专利范围第33项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜被连续波雷射结晶。 36.如申请专利范围第34项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 37.一种电子装置,其包含如申请专利范围第10项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 38.如申请专利范围第11项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 39.如申请专利范围第11项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 40.如申请专利范围第38项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜被连续波雷射结晶。 41.如申请专利范围第39项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜被连续波雷射结晶。 42.一种电子装置,其包含如申请专利范围第11项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 43.如申请专利范围第12项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 44.如申请专利范围第12项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 45.如申请专利范围第43项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜被连续波雷射结晶。 46.如申请专利范围第44项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜被连续波雷射结晶。 47.一种电子装置,其包含如申请专利范围第12项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 48.如申请专利范围第13项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 49.如申请专利范围第13项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 50.如申请专利范围第48项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 51.如申请专利范围第49项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 52.一种电子装置,其包含如申请专利范围第13项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 53.如申请专利范围第14项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 54.如申请专利范围第14项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 55.如申请专利范围第53项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且半导 体膜由连续波雷射结晶。 56.如申请专利范围第54项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 57.一种电子装置,其包含如申请专利范围第14项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 58.如申请专利范围第15项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 59.如申请专利范围第15项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 60.如申请专利范围第58项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 61.如申请专利范围第59项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 62.一种电子装置,其包含如申请专利范围第15项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 63.如申请专利范围第16项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 64.如申请专利范围第16项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 65.如申请专利范围第63项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 66.如申请专利范围第64项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续雷射结晶。 67.一种电子装置,其包含如申请专利范围第16项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 68.如申请专利范围第17项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成。 69.如申请专利范围第17项之感应放大器,其中感应 放大器由薄膜电晶体构成,且被组合成一种影像显 示装置。 70.如申请专利范围第68项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 71.如申请专利范围第69项之感应放大器,其中薄膜 电晶体包含用作半导体主动层的半导体膜,且该半 导体膜由连续波雷射结晶。 72.一种电子装置,其包含如申请专利范围第17项之 感应放大器,其中该电子装置选自由行动电话、视 频相机、移动电脑、头戴式显示器、电视、携带 型电子书、个人电脑、播放器、数位相机和单眼 头戴式显示器组成的组。 73.如申请专利范围第1项的感应放大器,其中第一 和第二薄膜电晶体的各个电晶体包含一由连续波 雷射结晶的半导体膜。 74.如申请专利范围第2项的感应放大器,其中该感 应放大器包含于一电子装置中,该电子装置选自由 行动电话、视频相机、移动电脑、头戴式显示器 、电视、携带型电子书、个人电脑、播放器、数 位相机、和单眼头戴式显示器组成的群之一。 75.如申请专利范围第3项的感应放大器,其中该感 应放大器包含于一电子装置中,该电子装置选自由 行动电话、视频相机、移动电脑、头戴式显示器 、电视、携带型电子书、个人电脑、播放器、数 位相机、和单眼头戴式显示器组成的群之一。 76.如申请专利范围第4项的感应放大器,其中第一, 第二,第三,和第四开关是NMOS电晶体。 77.如申请专利范围第4项的感应放大器,其中第一, 第二,第三,和第四薄膜电晶体的各个电晶体包含 一由连续波雷射结晶的半导体膜。 78.如申请专利范围第4项的感应放大器,其中该感 应放大器包含于一电子装置中,该电子装置选自由 行动电话、视频相机、移动电脑、头戴式显示器 、电视、携带型电子书、个人电脑、播放器、数 位相机、和单眼头戴式显示器组成的群之一。 79.如申请专利范围第5项的感应放大器,其中第一, 第二,第三,第四,和第五开关是NMOS电晶体。 80.如申请专利范围第5项的感应放大器,其中第一 和第二薄膜电晶体的各个电晶体包含一由连续波 雷射结晶的半导体膜。 81.如申请专利范围第5项的感应放大器,其中该感 应放大器包含于一电子装置中,该电子装置选自由 行动电话、视频相机、移动电脑、头戴式显示器 、电视、携带型电子书、个人电脑、播放器、数 位相机、和单眼头戴式显示器组成的群之一。 82.如申请专利范围第7项的感应放大器,其中第一, 第二,第三,第四,第五,和第六开关是NMOS电晶体。 83.如申请专利范围第7项的感应放大器,其中第一 和第二薄膜电晶体的各个电晶体包含一由连续波 雷射结晶的半导体膜。 84.如申请专利范围第7项的感应放大器,其中该感 应放大器包含于一电子装置中,该电子装置选自由 行动电话、视频相机、移动电脑、头戴式显示器 、电视、携带型电子书、个人电脑、播放器、数 位相机、和单眼头戴式显示器组成的群之一。 图式简单说明: 图1是本发明的第一实施例的电路图; 图2是第一实施例的操作时间图; 图3A~3C是分别表示第一实施例的主时段的电路图; 图4是本发明的第二实施例的电路图; 图5是第二实施例的操作时间图; 图6是本发明的第三实施例的电路图; 图7是本发明的第四实施例的电路图; 图8是本发明的第五实施例的电路图; 图9是本发明的第六实施例的电路图; 图10是本发明的第一实例的电路图; 图11是本发明的第二实例的电路图; 图12是本发明的第三实例的电路图; 图13是本发明的第四实例的电路图; 图14是第五实例所用的光学系统的示意图; 图15是第五实例中形成的结晶半导体膜的SEM照片; 图16是第六实例中形成的结晶半导体膜的SEM照片; 图17表示在第六实例中形成的结晶半导体膜上进 行的雷曼光谱分析结果; 图18A~18H表示第七实例中TFT生产的流程图; 图19A和19B是第七实例中生产的TFT的电特性结果; 图20A~20C表示第八实例中TFT生产的流程图; 图21A和21B是第八实例中生产的TFT的电特性结果; 图22A和22B是第八实例中生产的TFT的电特性结果; 图23A和23B是第八实例中生产的TFT的电特性结果; 图24A~24F是表示一种影像显示装置的实例的图; 图25A~25D是表示一种影像显示装置的实例的图; 图26是表示一种习知的感应放大器的实例的图; 图27是本发明的第七实施例的电路图; 图28是第七实施例的操作时间图; 图29A~29C是分别表示第七实施例的主时段的电路图 ; 图30是本发明的第八实施例的电路图; 图31是本发明的第九实施例的电路图; 图32是第九实施例的操作时间图;以及 图33是本发明的第二实例的电路图。 |
