| 发明名称 | 薄膜磁头、磁头万向组件及硬盘装置 | ||
| 摘要 | 以夹持MR膜(7)的方式在该MR膜(7)的磁道宽度方向的两侧，相互离开地配置一对磁区控制层(9)，对MR膜(7)(自由层(27))施加纵向偏移磁场。该磁区控制层(9)包括基底层(31)、强磁性层(33)和硬质磁性层(35)的层构造体，通过保护层为媒介设置在MR膜(7)的两肋。基底层(31)是使硬质磁性层(35)的磁化方向在平面内方向上一致、用于提高硬质磁性层(35)矫顽力的层，使用具有体心立方构造的材料。是提高作为整个磁区控制层(9)的饱和磁化的层，使用具有体心立方构造的强磁性材料，硬质磁性层(35)是由含Co的硬质磁性材料形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1312665C | 申请公布日期 | 2007.04.25 |
| 申请号 | CN200410069757.2 | 申请日期 | 2004.07.14 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 田中浩介;岛泽幸司;照沼幸一;清水友晶 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01) | 主分类号 | G11B5/39(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳;邸万杰 |
| 主权项 | 1.一种薄膜磁头，其特征在于：包括：磁阻效应膜；和在所述磁阻效应膜的磁道宽度方向的两侧相互离开地配置、并且用于对该磁阻效应膜施加偏移磁场的一对磁区控制层；所述磁区控制层包括硬质磁性层、强磁性层和用于使所述硬质磁性层的磁化方向在平面内方向上一致的基底层的层构造体；在所述层构造体中，在所述硬质磁性层和所述基底层之间层压有所述强磁性层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||