主权项 |
1.一种校正石印工具之方法,该方法包含以下步骤: 曝光一晶圆,使得所得到的图案影像相对于晶圆被 倾斜; 显影曝光后的晶圆; 以一部份的石印工具测量倾斜图案影像之特性曲 线,以决定曝光系统之焦点参数;及 使用焦点参数以执行石印工具之校正。 2.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含根据该 测量步骤来决定曝光系统之焦点倾斜误差之步骤 。 3.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含根据该 测量步骤来决定曝光系统之焦点偏移之步骤。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该测量步骤包 含测量倾斜图案影像之带位置之步骤。 5.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含根据该 测量步骤来决定曝光系统之焦点偏移与焦点倾斜 误差之步骤。 6.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含倾斜固 定字标线之字标线台以施加倾斜之步骤。 7.如申请专利范围第1项之方法,进一步包含于该曝 光步骤期间沿着一预定轴移动晶圆之步骤,以在晶 圆上形成至少一额外的倾斜图案影像。 8.如申请专利范围第7项之方法,进一步包含根据该 测量步骤来决定曝光系统之焦点倾斜误差之步骤 。 9.如申请专利范围第7项之方法,进一步包含根据该 测量步骤来决定曝光系统之焦点偏移之步骤。 10.如申请专利范围第7项之方法,其中该测量步骤 包含测量倾斜图案影像之间的距离之步骤。 11.如申请专利范围第7项之方法,其中该测量步骤 包含测量倾斜图案影像的中心轴至晶圆的中心轴 之距离之步骤。 12.如申请专利范围第7项之方法,进一步包含根据 该测量步骤来决定曝光系统之焦点偏移与焦点倾 斜误差之步骤。 13.如申请专利范围第7项之方法,其中该测量步骤 包含以下步骤: 测量倾斜图案影像之间的距离;及 测量倾斜图案影像的中心至晶圆的中心之距离。 14.一种校正石印工具之方法,该方法包含以下步骤 : 曝光一晶圆,晶圆被定位成一角度以在相对于晶圆 被倾斜的晶圆上,产生一带状蚀刻图案; 显影曝光后的晶圆; 以晶圆校准系统来测量图案影像之特性曲线; 根据该测量步骤来决定焦点参数;及 根据该决定步骤来校正石印工具之曝光段的焦点 部份。 15.如申请专利范围第14项之方法,进一步包含决定 焦点部份之焦点倾斜误差之步骤。 16.如申请专利范围第14项之方法,进一步包含决定 焦点部份之焦点偏移之步骤。 17.如申请专利范围第14项之方法,其中该测量步骤 包含测量倾斜图案影像之带位置之步骤。 18.如申请专利范围第14项之方法,其中该测量步骤 包含以下步骤: 测量焦点部份之焦点偏移;及 测量焦点部份之焦点倾斜误差。 19.如申请专利范围第14项之方法,进一步包含倾斜 固定字标线之字标线台以施加倾斜之步骤。 20.一种校正石印工具之方法,该方法包含以下步骤 : 沿着一预定轴,将晶圆步阶化; 沿着预定轴在一个以上的点曝光晶圆,使得所形成 的图案影像相对于晶圆被倾斜; 显影晶圆; 以晶圆校准系统来测量图案影像之特性曲线; 根据该测量步骤来决定焦点参数;及 根据该决定步骤来校正石印工具之曝光段的焦点 部份。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中该决定步骤 包含决定焦点部份之焦点倾斜误差之步骤。 22.如申请专利范围第20项之方法,其中该决定步骤 包含决定焦点部份之焦点偏移之步骤。 23.如申请专利范围第20项之方法,其中该决定步骤 包含测量倾斜图案影像之间的距离之步骤。 24.如申请专利范围第20项之方法,其中该测量步骤 包含测量倾斜图案影像的中心轴至晶圆的中心轴 之距离之步骤。 25.如申请专利范围第20项之方法,其中该决定步骤 包含决定焦点部份之焦点偏移与焦点倾斜误差之 步骤。 26.如申请专利范围第20项之方法,其中该测量步骤 包含以下步骤: 测量倾斜图案影像之间的距离;及 测量倾斜图案影像的中心轴至晶圆的中心轴之距 离之步骤。 图式简单说明: 图1指出依据本发明之实施例相对于字标线影像平 面之晶圆的启始位置。 图2A指出依据本发明之实施例在以一带被曝光之 后的倾斜晶圆之侧面图。 图2B指出图2A之晶圆的前视图。 图3指出依据本发明之实施例在晶圆上形成一带之 方法的流程图。 图4A指出依据本发明之实施例在以一带被曝光之 后的倾斜晶圆之侧面图。 图4B指出图4A之晶圆的顶视图。 图5A指出依据本发明之实施例在以一带被曝光之 后的倾斜晶圆之侧面图。 图5B指出图5A之晶圆的顶视图。 图6A指出依据本发明之实施例在各位置以一带被 曝光之后,在两个曝光位置的晶圆之侧面图。 图6B指出图6A之晶圆的顶视图。 图6C指出扫描6A与6B之晶圆的扫描光束。 图6D指出从使用石印工具校准系统光束之扫描所 产生的图形,以决定依据本发明之实施例在图6A、6 B与6C之晶圆上的图案之特性曲线。 图7A指出依据本发明之实施例在各位置以一带被 曝光之后,在两个曝光位置的晶圆之侧面图。 图7B指出图7A之晶圆的顶视图。 图8A指出依据本发明之实施例在各位置以一带被 曝光之后,在两个曝光位置的晶圆之侧面图。 图8B指出图8A之晶圆的顶视图。 图9指出描述依据本发明之实施例之校正方法的流 程图。 图10指出描述依据本发明之实施例之校正方法的 流程图。 图11指出描述依据本发明之实施例之校正方法的 流程图。 |