发明名称 |
ZnO突波吸收器及其制备方法 |
摘要 |
ZnO突波吸收器及其制备方法,它涉及突波吸收器及其制备方法。为了解决目前的ZnO突波吸收器原料混合均匀性差、粉体粒径大,性能差的问题。ZnO突波吸收器由ZnO瓷片和ZnO瓷片表面的银电极制成;ZnO瓷片由ZnO、Sb<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、MnO<SUB>2</SUB>、Co<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>制成或由ZnO、SnO、Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、MnO<SUB>2</SUB>和Co<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>制成。其制备方法:(一)称取原料;(二)溶解原料并调节混合液pH值;(三)老化、过滤,洗涤、干燥、焙烧;(四)压片、煅烧;(五)涂银浆料再焙烧,即得到ZnO突波吸收器。本发明制备的ZnO突波吸收器原料混合均匀,粉体粒径小为10~40nm,其压敏电压为988.2V/mm,非线性系数达87.2,漏电流为0.14μA。本发明制备ZnO突波吸收器的方法简单,而且ZnO瓷片煅烧温度比现有工艺低300~450℃,可有效地降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN1921033A |
申请公布日期 |
2007.02.28 |
申请号 |
CN200610010546.0 |
申请日期 |
2006.09.14 |
申请人 |
哈尔滨师范大学 |
发明人 |
吕树臣;高宏玲;杨明珠 |
分类号 |
H01C7/12(2006.01);H01C7/112(2006.01);H01C17/00(2006.01) |
主分类号 |
H01C7/12(2006.01) |
代理机构 |
哈尔滨市松花江专利商标事务所 |
代理人 |
单军 |
主权项 |
1、ZnO突波吸收器,其特征在于ZnO突波吸收器由ZnO瓷片和ZnO瓷片表面的银电极制成;其中ZnO瓷片由ZnO、Sb2O3、Bi2O3、MnO2、Co2O3和Cr2O3按94~95.5∶0.25~0.75∶0.5∶2∶0.25∶0.25的摩尔比制成。 |
地址 |
150080黑龙江省哈尔滨市南岗区和兴路50号 |