发明名称 ZnO突波吸收器及其制备方法
摘要 ZnO突波吸收器及其制备方法,它涉及突波吸收器及其制备方法。为了解决目前的ZnO突波吸收器原料混合均匀性差、粉体粒径大,性能差的问题。ZnO突波吸收器由ZnO瓷片和ZnO瓷片表面的银电极制成;ZnO瓷片由ZnO、Sb<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、MnO<SUB>2</SUB>、Co<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>和Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>制成或由ZnO、SnO、Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、MnO<SUB>2</SUB>和Co<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>制成。其制备方法:(一)称取原料;(二)溶解原料并调节混合液pH值;(三)老化、过滤,洗涤、干燥、焙烧;(四)压片、煅烧;(五)涂银浆料再焙烧,即得到ZnO突波吸收器。本发明制备的ZnO突波吸收器原料混合均匀,粉体粒径小为10~40nm,其压敏电压为988.2V/mm,非线性系数达87.2,漏电流为0.14μA。本发明制备ZnO突波吸收器的方法简单,而且ZnO瓷片煅烧温度比现有工艺低300~450℃,可有效地降低生产成本。
申请公布号 CN1921033A 申请公布日期 2007.02.28
申请号 CN200610010546.0 申请日期 2006.09.14
申请人 哈尔滨师范大学 发明人 吕树臣;高宏玲;杨明珠
分类号 H01C7/12(2006.01);H01C7/112(2006.01);H01C17/00(2006.01) 主分类号 H01C7/12(2006.01)
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 单军
主权项 1、ZnO突波吸收器,其特征在于ZnO突波吸收器由ZnO瓷片和ZnO瓷片表面的银电极制成;其中ZnO瓷片由ZnO、Sb2O3、Bi2O3、MnO2、Co2O3和Cr2O3按94~95.5∶0.25~0.75∶0.5∶2∶0.25∶0.25的摩尔比制成。
地址 150080黑龙江省哈尔滨市南岗区和兴路50号
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