发明名称 Halbleitersubstrat und Verfahren zur Herstellung
摘要 Die Erfindung betrifft Halbleitersubstrate und Verfahren zur Herstellung solcher Halbleitersubstrate. Dabei ist es Aufgabe der Erfindung, Halbleitersubstrate zur Verfügung zu stellen, die kostengünstig herstellbar sind, mit denen eine hohe Anordnungsdichte sowie gute elektrische Leitfähigkeit und geschlossene Oberflächen erreichbar sind. Erfindungsgemäß ist die elektrisch leitende Verbindung von seiner Vorderseite durch das Substrat hindurch bis zur Rückseite geführt. Die elektrisch leitende Verbindung ist von außen vollständig umschlossen. Der Isolator wird mit einer Durchbrechung gebildet, die mit einem Stoff ausgefüllt ist. Die Innenwandung ist mit einer dielektrischen Beschichtung versehen und/oder mit einem elektrisch isolierenden oder leitenden Stoff ausgefüllt. Die elektrisch leitende Verbindung ist mit einer weiteren Durchbrechung gebildet, die mit einem elektrisch leitenden Stoff ausgefüllt und im Inneren des Isolators angeordnet ist. Die Durchbrechungen sind mit absatzfreien orthogonal zur Vorderseite ausgerichteten bzw. sich kontinuierlich in Richtung auf die Rückseite verjüngenden Innenwänden ausgebildet.
申请公布号 DE102005039068(A1) 申请公布日期 2007.02.15
申请号 DE20051039068 申请日期 2005.08.11
申请人 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH 发明人 DRABE, CHRISTIAN;WOLTER, ALEXANDER;BERGMANN, ANDREAS;VOGTMEIER, GEREON;DORSCHEID, RALF;STEADMAN, ROGER
分类号 H01L23/482;H01L27/04 主分类号 H01L23/482
代理机构 代理人
主权项
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