发明名称 |
使用光束成型获取椭圆及圆化形状之方法 |
摘要 |
一种制造一掩模(316)以供图案化一半导体晶片之方法。该掩模(316)包括椭圆(340)或圆形化特征利用一椭圆形能量光束(350)形成。利用实质上圆形能量光束形成之卵形(340)或圆形化特征之不理想阶梯形边缘(344),以椭圆形能量光束(350)予以平滑化。一种以掩模(316)制造一半导体装置之方法亦包括在内。椭圆形能量光束(350)亦可用来直接图案化一半导体晶片。 |
申请公布号 |
CN1294623C |
申请公布日期 |
2007.01.10 |
申请号 |
CN02821213.4 |
申请日期 |
2002.10.25 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
E·卡皮 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01);G03F1/14(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
程天正;张志醒 |
主权项 |
1.一种制造供图案化半导体晶片掩模的方法,包括:提供一个掩模坯件,包括一不透明材料形成其上;在不透明材料上形成一图案,部分图案包含阶梯形边缘;以椭圆形能量光束减少不透明材料上的阶梯形边缘。 |
地址 |
德国慕尼黑 |