扩张照射面积之发光二极体

摘要

本发明系有关于一种扩张照射面积之发光二极体，其系揭露一发光二极体晶片以及一遮蔽层，其中，该遮蔽层系设于该发光二极体晶片之一出射面上方，且该遮蔽层之长度系大于、等于或小于该发光二极体晶片之该出射面的长度，藉此，经由该遮蔽层使该发光二极体晶片射出之光线产生绕射，以扩张发光二极体之照射面积。