| 发明名称 | 利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法。该电平转换电路完全采用CMOS标准工艺参数，利用两对PMOS管与NMOS管对电压进行钳位，从而保证了电路中所有的MOS管栅漏电压差|V<SUB>gd</SUB>|或栅源电压差|V<SUB>gs</SUB>|均小于栅氧可靠性要求的安全电压值。与传统电平转换电路相比，该电路极大地增加MOS管栅氧可靠性；同时，该电路结构由于完全采用深亚微米CMOS标准工艺，可以更加适合嵌入式EEPROM电路并降低电路成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1885435A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200610089593.9 | 申请日期 | 2006.07.05 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 邓志欣;廖怀林;李炎;黄如 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C16/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 1、一种利用深亚微米CMOS标准工艺实现EEPROM的电平转换电路的方法，其步骤包括：在由PMOS管M1、M2与NMOS管M3、M4构成的双稳态电平转换电路中，在M1、M3间和M2、M4间分别增加一对PMOS管M5/M7和NMOS管M6/M8，M1-M8均采用深亚微米CMOS标准工艺下的I/O管参数，M5-M8栅接电压Vx用于电压钳位作用。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 | ||