| 发明名称 | 多孔硅的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种多孔硅的制备方法，以去离子水为溶剂，加入不大于溶剂重量1％的一氧化硅粉末，混合后置入密封反应釜中，搅拌，并将剪裁好的硅片悬挂在该密封反应釜中，于200℃－500℃温度、3－40MPa压力下保温1－5小时，即由所悬挂的硅片制得多孔硅。所述搅拌可采用磁力搅拌器。所制备的多孔硅具有表面平整、孔分布均匀、串空率低、在空气环境中的发光稳定、强度高、制备过程操作简单、成本低等优点；最大的特点是无任何酸性物质的参与，有利于环保。 | ||
| 申请公布号 | CN1884069A | 申请公布日期 | 2006.12.27 |
| 申请号 | CN200610031944.0 | 申请日期 | 2006.07.10 |
| 申请人 | 湖南大学 | 发明人 | 唐元洪;林良武;朱利兵 |
| 分类号 | C01B33/021(2006.01);C01B33/027(2006.01) | 主分类号 | C01B33/021(2006.01) |
| 代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人 | 马强 |
| 主权项 | 1、一种多孔硅的制备方法，其特征在于，以去离子水为溶剂，加入一氧化硅粉末且所加的量不大于溶剂重量的1％，混合后置入密封反应釜中，搅拌，并将剪裁好的硅片悬挂在该密封反应釜中，于200℃-500℃温度、3-40MPa压力下保温1-5小时，即由所悬挂的硅片制得多孔硅。 | ||
| 地址 | 410082湖南省长沙市麓山南路2号 | ||