发明名称 |
蚀刻剂及用其制造互连线和薄膜晶体管基板的方法 |
摘要 |
本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括:10-20wt%的过氧化氢、1-5wt%的有机酸、0.1-1wt%的基于三唑的化合物、0.01-0.5wt%的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。 |
申请公布号 |
CN1884618A |
申请公布日期 |
2006.12.27 |
申请号 |
CN200610086467.8 |
申请日期 |
2006.06.21 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
朴弘植;金时烈;郑钟铉;申原硕 |
分类号 |
C23F1/16(2006.01);C23F1/18(2006.01);C23F1/26(2006.01);H01L21/306(2006.01) |
主分类号 |
C23F1/16(2006.01) |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
李伟 |
主权项 |
1.一种用于钼(Mo)/铜(Cu)/氮化钼(MoN)多层互连线的蚀刻剂,所述蚀刻剂包括:10wt%-20wt%的过氧化氢;1wt%-5wt%的有机酸;0.1wt%-1wt%的基于三唑的化合物;0.01wt%-0.5wt%的氟化合物;以及作为剩余物的去离子水。 |
地址 |
韩国京畿道 |