发明名称 蚀刻剂及用其制造互连线和薄膜晶体管基板的方法
摘要 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括:10-20wt%的过氧化氢、1-5wt%的有机酸、0.1-1wt%的基于三唑的化合物、0.01-0.5wt%的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。
申请公布号 CN1884618A 申请公布日期 2006.12.27
申请号 CN200610086467.8 申请日期 2006.06.21
申请人 三星电子株式会社 发明人 朴弘植;金时烈;郑钟铉;申原硕
分类号 C23F1/16(2006.01);C23F1/18(2006.01);C23F1/26(2006.01);H01L21/306(2006.01) 主分类号 C23F1/16(2006.01)
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 李伟
主权项 1.一种用于钼(Mo)/铜(Cu)/氮化钼(MoN)多层互连线的蚀刻剂,所述蚀刻剂包括:10wt%-20wt%的过氧化氢;1wt%-5wt%的有机酸;0.1wt%-1wt%的基于三唑的化合物;0.01wt%-0.5wt%的氟化合物;以及作为剩余物的去离子水。
地址 韩国京畿道