| 主权项 |
1.一种薄膜工件之切割方法,包括以下步骤:(1)在镀膜基片表面涂敷光刻胶;(2)用带有复数个切割道之光罩罩于镀膜基片表面;(3)对露出光罩之光刻胶曝光,则镀膜基片表面形成一具有切割道之曝光区;(4)将曝光后之基片放入显影液中进行显影,将曝光区之光刻胶溶于显影液,则曝光区露出镀膜基片;(5)对曝光区之镀膜基片进行蚀刻,将镀膜除去,露出底材;(6)除去薄膜表面之光刻胶,利用切割刀具沿露出底材之切割道对基片进行切割,清洗后得到最终之薄膜工件。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜工件之切割方法,其中所述镀膜基片包括底材及镀膜层。3.如申请专利范围第2项所述之薄膜工件之切割方法,其中所述光刻胶系正型光刻胶。4.如申请专利范围第3项所述之薄膜工件之切割方法,其中涂敷光刻胶后还需要烘烤镀膜基片以提高光刻胶之灵敏度。5.如申请专利范围第4项所述之薄膜工件之切割方法,其中所述烘烤温度为50-100℃。6.如申请专利范围第5项所述之薄膜工件之切割方法,其中所述切割道之宽度为10-100m。7.如申请专利范围第6项所述之薄膜工件之切割方法,其中所述曝光过程采用镭射光或紫外光。8.如申请专利范围第7项所述之薄膜工件之切割方法,其中所述显影液为磷酸钠、磷酸钙、氢氧化钠、氢氧化钙等无机硷溶液中之一种,也可为有机硷溶液。9.如申请专利范围第8项所述之薄膜工件之切割方法,其中所述蚀刻过程中采用干法蚀刻方法。10.如申请专利范围第9项所述之薄膜工件之切割方法,其中所述光刻胶藉由加热后之浓酸溶解除去。11.如申请专利范围第10项所述之薄膜工件之切割方法,其中所述浓酸为浓硫酸或浓硝酸。图式简单说明:第一图系本发明薄膜工件之切割方法适用之镀膜基片之结构示意图;第二图系本发明薄膜工件之切割方法适用之镀膜基片涂敷光刻胶后之结构示意图;第三图系本发明薄膜工件之切割方法适用之光罩与镀膜基片示意图;第四图系本发明薄膜工件之切割方法适用之镀膜基片曝光后之结构示意图;第五图系本发明薄膜工件之切割方法适用之镀膜基片显影后之结构示意图; |
