| 主权项 |
1.一种记忆电容器(特别是铁电-或顺电记忆电容器)及所属之接触结构,其特征为:-此接触结构由一形成在隔离层(4)中之中继接触区(41)所形成,-此记忆电容器(3)包含第一电极层(32),第二电极层(34)及介电质-,铁电质-或顺电质中间层(33),-由隔离层(4)之表面开始此记忆电容器之至少一部份是在中继接触区(41)之内部中延伸且在电性上与中继接触区(41)相连。2.如申请专利范围第1项之记忆电容器及所属之接触结构,其中记忆电容器(3)在中继接触区(41)内部中具有一次或多次折叠之电容器区段。3.如申请专利范围第2项之记忆电容器及所属之接触结构,其中-电容器区段折叠一次,-第一电极层(32)在中继接触区(41)之内部中延伸之电容器区段中面向中继接触区(41)之内部且在电性上与中继接触区(41)相连。4.如申请专利范围第3项之记忆电容器及所属之接触结构,其中第一电极层(32)及电容器中间层(33)在折叠之电容器区段中具有二个沿着中继接触区(41)而延伸之平行区段及一个使此二个区段连接至其末端所用之区段。5.如申请专利范围第1或4项之记忆电容器及所属之接触结构,其中第二电极层(34)在折叠之电容器区段中具有一沿着中继接触区而延伸之区段,此区段填入电容器中间层(33)之平行区段之间之空隙中。6.如申请专利范围第4项之记忆电容器及所属之接触结构,其中第一电极层(32)在其至少一个区段上,特别是在全部三个区段上是与中继接触区(41)之导电接触层相连。7.如申请专利范围第1至4项中任一项之记忆电容器及所属之接触结构,其中该中继接触区(41)包含一由隔离层(4)之表面所重设之填充插头(41a),其由导电材料所构成。8.如申请专利范围第7项之记忆电容器及所属之接触结构,其中至少一导电接触层在填充插头(41a)外部之中继接触区(41)中一方面是与记忆电容器(3)相连且另一方面是导电性地与填充插头(41a)相连。9.如申请专利范围第8项之记忆电容器及所属之接触结构,其中在中继接触区(41)之相面对之内壁上分别配置至少一接触层。10.如申请专利范围第7项之记忆电容器及所属之接触结构,其中在填充插头(41a)上沈积至少一种导电层(42,43),其材料不同于填充插头(41a)者。11.如申请专利范围第10项之记忆电容器及所属之接触结构,其中在填充插头(41a)上沈积导电性之第一中间层(42)及导电性之第二氧位障层(43)。12.如申请专利范围第10项之记忆电容器及所属之接触结构,其中至少一层(42,43)分别具有二个配置在中继接触区(41)之相面对之内壁上之区段及一个连接此二区段用之配置在填充插头(41a)上之区段。13.如申请专利范围第12项之记忆电容器及所属之接触结构,其中该位障层(43)沈积在中间层(42)上,中间层(42)完全由填充插头(41a),隔离层(4)及位障层(43)所围绕。14.一种记忆元件,其特征为具有:-一形成在基板(1)上之开关电晶体(2),-一施加在开关电晶体(2)上之隔离层(4),-一记忆电容器(3)及一所属之接触结构,其系依据申请专利范围第1至13项中任一项而形成在隔离层(4)中及上。15.一种记忆电容器(特别是铁电-或顺电记忆电容器)及所属之接触结构之制造方法,其使记忆电容器经由隔离层(4)而与开关电晶体(2)相接触,其特征为:a)在隔离层(4)中形成一种中继开口,b)此中继开口中须以至少一导电材料填入,使一由导电材料所空出之向外敞开之中空区仍保留着,c)记忆电容器(3)具有第一电极层(32),第二电极层(34)及介电质,铁电质或顺电质中间层(33)且至少一部份沈积在中空区中。16.如申请专利范围第15项之制造方法,其中-在步骤b)中此中继开口中未完全填满,-中空区由中继开口之未填满之区段所形成。17.如申请专利范围第15项之制造方法,其中-在步骤b)中此中继开口中完全以导电材料填入,然后-产生中空区,其过程是在导电材料中形成一预定深度之凹口。18.如申请专利范围第17项之制造方法,其中须形成该凹口,使该中继开口之内壁上仍保持该导电材料之相面对之各壁。19.如申请专利范围第18项之制造方法,其中中继开口中未完全以第一导电材料填入,在中继开口之仍保留之区段中填入第二导电材料,在第二导电材料中形成凹口。20.如申请专利范围第19项之制造方法,其中在填入第二导电材料之前在第一导电材料之表面上形成第三导电材料之中间层(42)。21.如申请专利范围第20项之制造方法,其中形成该中间层,其具有一配置在第一导电材料之表面上之水平区段及二个相面对之垂直区段。22.一种记忆元件之制造方法,其特征为:-在基板(1)上形成一开关电晶体(2),-在开关电晶体(2)上施加一隔离层(4),-在隔离层(4)中及上依据申请专利范围第15至21项中任一项之方法形成一记忆电容器(3)及所属之接触结构。图式简单说明:第1图 传统式DRAM记忆胞之横切面,其具有铁电质堆叠电容器。第2A-H图 本发明制造该记忆电容器之实施例,其具有该接触结构。 |
