SULFURISATION ET SELENISATION DE COUCHES DE CIGS ELECTRODEPOSE PAR RECUIT THERMIQUE

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication en couches minces d'alliages semi-conducteurs de type I-III-VI2 incluant du soufre, pour des applications photovoltaïques, dans lequel on dépose d'abord sur un substrat une hétérostructure comprenant une couche mince de précurseur I-III-VI2 sensiblement amorphe et une couche mince incluant au moins du soufre, puis on recuit l'hétérostructure pour favoriser, à la fois la diffusion du soufre dans la couche de précurseur, et la cristallisation au moins partielle de l'alliage I-III-VI2 de la couche de précurseur avec une stoechiométrie incluant ainsi du soufre. Une couche de sélénium additionnelle peut être également déposée pour assister les phénomènes de recristallisation ou de recuit.