| 发明名称 | 切断熔丝结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种熔丝结构切断方法，该熔丝结构设于一基底之上，且该熔丝结构包括一导体，以及一膜厚均匀的绝缘层，覆盖于该导体的表面，该方法包含去除该导体表面部分的该绝缘层，以暴露部分的该导体表面，以及进行一化学反应，经由暴露部分该导体表面将该导体反应成一绝缘物。 | ||
| 申请公布号 | CN1870238A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200510075978.5 | 申请日期 | 2005.05.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴炳昌 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L23/62(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种切断熔丝结构的方法，该熔丝结构设于一基底之上，该基底表面形成有至少一介电层，且该介电层表面形成至少一导体，以及一膜厚均匀的绝缘层，覆盖于该导体的表面，该方法包括下列步骤：去除该导体表面部分的该绝缘层，以暴露部分的该导体表面；以及进行一热氧化反应，以完全氧化该导体成一氧化物。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||