| 发明名称 | 化合物半导体基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供化合物半导体基板的制造方法，包含以下的工序(a)～(e)。(a)在基板(1)上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、与基板(1)接触一侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在通过工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。 | ||
| 申请公布号 | CN1871699A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200480031316.1 | 申请日期 | 2004.10.25 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 秦雅彦;小野善伸;上田和正 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01);H01L21/329(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/331(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种化合物半导体基板的制造方法，其中，包含以下的工序(a)～(e)：(a)在基板(1)之上，通过外延生长形成化合物半导体功能层(2)；(b)在化合物半导体功能层(2)上，接合支撑基板(3)；(c)通过研磨除去基板(1)、和与基板(1)接触侧的化合物半导体功能层(2)的一部分；(d)在由工序(c)露出的化合物半导体功能层(2)的表面，接合具有比基板(1)大的热传导率的高热传导性基板(4)，而取得多层基板；(e)从多层基板分离支撑基板(3)。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||