| 发明名称 | 发光元件的生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光元件的生产方法，用于生产在透明晶体基板(2)上层积至少包括n型基板支持层(3)及p型基板支持层(4)的发光层的发光元件(1)，该生产方法包括在透明晶体基板(2)或发光层(3)、(4)的至少一部分形成转写层(5)的步骤，该转写层通过所供给的能量软化或固化；将形成有微小凹凸结构(61)的模具(6)按压在转写层(5)上，使该微小凹凸结构(61)转写至转写层(5)的外表面的步骤；基于被转写至转写层(5)的微小凹凸结构，形成防止多重反射的微小凹凸结构的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1871713A | 申请公布日期 | 2006.11.29 |
| 申请号 | CN200480031178.7 | 申请日期 | 2004.11.11 |
| 申请人 | 松下电工株式会社 | 发明人 | 福岛博司;久保雅男;井上章;田中健一郎;桝井干生;松井真二 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/308(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种发光元件的生产方法，用于生产在透明晶体基板上层积有至少包括n型半导体层及p型半导体层的发光层的发光元件，其特征在于包括以下步骤：在所述透明晶体基板或所述发光层的至少一部分形成转写层的步骤，该转写层通过所供给的能量软化或固化；将形成有微小凹凸结构的模具按压在所述转写层上，使所述微小凹凸结构被转写至所述转写层的外表面的步骤；以及基于被转写至所述转写层的所述微小凹凸结构，形成防止多重反射的微小凹凸结构的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||