发明名称 |
控制芯片片内存储装置及其存储方法 |
摘要 |
本发明涉及一种控制芯片片内存储装置及其方法。所述的装置包括:多通道数据缓存控制/状态单元、数据RAM(随机存储器)读写控制单元、采用链表式存储管理的双端口数据存储RAM、配置RAM控制单元及配置RAM阵列;所述的方法为:首先,多通道数据缓存控制/状态单元接收的数据操作命令;然后,数据RAM读写控制单元根据该命令及配置RAM阵列中的参数信息对双端口数据存储RAM进行读写操作;最后,还需要对相应的配置参数信息进行更新。本发明可以更有效的利用片内有限的存储空间,增加了实际应用的灵活性,且可支持更大的数据流量。另外,还可以在多速率多通道的应用环境下,大大提高系统总线的带宽利用率。 |
申请公布号 |
CN1286029C |
申请公布日期 |
2006.11.22 |
申请号 |
CN02129193.4 |
申请日期 |
2002.08.20 |
申请人 |
华为技术有限公司 |
发明人 |
黄勇;敬伟 |
分类号 |
G06F13/18(2006.01) |
主分类号 |
G06F13/18(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1、一种控制芯片片内存储装置,其特征在于包括:多通道数据缓存控制/状态单元:提供控制芯片与各通道的数据接口,协调数据RAM读写控制单元和配置RAM控制单元间的同步操作,维护通道存储状态信息;数据RAM读写控制单元:完成双端口数据存储RAM的基本读写功能,输入输出数据;双端口数据存储RAM:各个通道用于存储数据信息的存储实体;配置RAM控制单元:完成所有配置RAM阵列的读写控制,以及配置RAM阵列的实时更新,输出状态信息;配置RAM阵列:用于实时存储各个通道的数据缓存控制信息。 |
地址 |
517057广东省深圳市科技园科发路华为用户服务中心大厦知识产权部 |