| 发明名称 | 氮化硅发热体以及其无压低温烧结制备方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化硅发热体以及其无压低温烧结制备方法，所述的氮化硅发热体包括发热源和发热本体，发热本体包括氮化硅70～95％，氧化钇0.1～10％，氮化铝0～5％，氮化硼0～5％，氧化铝0.1～10％，氧化硅0.1～10％，氧化铈0.1～10％，氧化镁0.1～10％；其制备方法为：按所述的配方重量比例称取原料，球磨2～48小时，烘干，干压成型素坯，并将发热丝置于素坯内，构成生坯；生坯放入炉中排胶，以每小时20～200℃/小时的升温速度将炉内温度升到250～650℃后，保持上述温度2～6小时；将生坯置于石墨坩埚内，埋入氮化硅中，炉内温度控制在1500～1800℃，在无压通氮气条件下，经30分钟至4小时烧结完成。本发明工艺简单，加工成本低，可满足大规模生产需求。 | ||
| 申请公布号 | CN1849017A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200510034046.6 | 申请日期 | 2005.04.05 |
| 申请人 | 郜长福 | 发明人 | 郜长福;陈闻杰;刘晓霞 |
| 分类号 | H05B3/10(2006.01);C04B35/584(2006.01);C04B35/622(2006.01) | 主分类号 | H05B3/10(2006.01) |
| 代理机构 | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人 | 吕晓蕾 |
| 主权项 | 1、一种氮化硅发热体，它包括发热源和发热本体，其特征在于所述的发热源为耐高温金属丝或金属电热膜，所述的发热本体配方为氮化硅70～95％，氧化钇0.1～10％，氮化铝0～5％，氮化硼0～5％，氧化铝0.1～10％，氧化硅0.1～10％，氧化铈0.1～10％，氧化镁0.1～10％。 | ||
| 地址 | 518057广东省深圳市南山区科技园琼宇路8号 | ||