选择性去除半球状硅晶粒层的方法及深沟槽电容器的制法

摘要

一种选择性去除半球状硅晶粒层的方法及深沟槽电容器的制法，包括下列步骤：提供一已制备完成垫层结构的半导体基底，其上具有一深沟槽。形成一氧化物层于该深沟槽上部开口侧壁。形成一半球状硅晶粒层于该深沟槽底部及侧壁。形成一掺杂绝缘层以覆盖该半球状硅晶粒层。形成一遮蔽层于该深沟槽下半部一预定深度，并去除该深沟槽上半部的掺杂绝缘层。等离子体掺杂该深沟槽上半部的半球状硅晶粒层以形成一等离子体掺杂层；去除该等离子体掺杂层而不损伤深沟槽硅基底以完成选择性去除半球状硅晶粒层的方法。然后，形成一覆盖氧化层于该深沟槽上方区域及侧壁，进行一热制程并形成一埋入电极板。

主权项

1.一种选择性去除半球状硅晶粒层的方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底包括有一沟槽；形成一埋入介电层于该沟槽侧壁上部；形成一半球状硅晶粒层于该沟槽侧壁及底部；形成一掺杂绝缘层于该半球状硅晶粒层上；形成一遮蔽层填入该沟槽内，并凹蚀该遮蔽层至一预定深度，露出部份该掺杂绝缘层；去除该未被遮蔽层覆盖的掺杂绝缘层，露出部分该半球状硅晶粒层；离子掺杂露出的该半球状硅晶粒层，以形成一等离子体掺杂层于该沟槽顶部及上侧壁；以及去除该等离子体掺杂层。